| 1 绪论 | 第1-20页 |
| ·Ⅲ族氮化物的研究概况 | 第10-11页 |
| ·AlN的研究进展及现状 | 第11-14页 |
| ·AlN物理性能的研究现状 | 第11-13页 |
| ·AlN薄膜的生长工艺 | 第13-14页 |
| ·AlN的应用前景和发展方向 | 第14页 |
| ·本论文工作的主要目的和研究重点 | 第14-17页 |
| 参考文献 | 第17-20页 |
| 2 薄膜制备及其分析方法 | 第20-31页 |
| ·薄膜制备方法 | 第20-22页 |
| ·射频磁控溅射技术基本原理及特点 | 第20-21页 |
| ·实验设备 | 第21-22页 |
| ·薄膜质量的研究方法 | 第22-30页 |
| ·卢瑟福背散射分析(RBS) | 第22-24页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第24-25页 |
| ·扫描电镜分析(SEM) | 第25页 |
| ·透射电镜分析(TEM) | 第25-26页 |
| ·反射高能电子衍射(RHEED) | 第26-27页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第27页 |
| ·傅立叶红外分析(FTIR) | 第27-28页 |
| ·椭圆偏振光(ellipsometry) | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-31页 |
| 3 不同沉积温度下的纳米AlN薄膜的表面形貌和结晶特性分析 | 第31-42页 |
| ·AlN薄膜的制备与分析方法 | 第31-32页 |
| ·衬底选择及处理方法 | 第31页 |
| ·AlN薄膜的制备 | 第31-32页 |
| ·AlN薄膜的表征 | 第32页 |
| ·AlN薄膜的表征结果与分析 | 第32-39页 |
| ·薄膜表面形貌表征 | 第32-36页 |
| ·薄膜结晶特性表征 | 第36-39页 |
| ·本章讨论 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
| 4 工作气压对AlN薄膜表面形貌和结晶取向的作用 | 第42-59页 |
| ·AlN薄膜的制备与分析方法 | 第42-43页 |
| ·衬底选择及处理方法 | 第42页 |
| ·AlN薄膜的制备 | 第42-43页 |
| ·AlN薄膜的表征 | 第43页 |
| ·AlN薄膜的表征结果与分析 | 第43-56页 |
| ·薄膜表面形貌表征 | 第43-50页 |
| ·薄膜结晶特性表征 | 第50-52页 |
| ·薄膜生长机制的探讨 | 第52-56页 |
| ·本章讨论 | 第56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 5 工作气压对AlN薄膜结构和光学性能的影响 | 第59-77页 |
| ·AlN薄膜的制备与分析方法 | 第59-60页 |
| ·衬底选择及处理方法 | 第59页 |
| ·AlN薄膜的制备 | 第59-60页 |
| ·AlN薄膜的表征 | 第60页 |
| ·AlN薄膜的光学常数及薄膜厚度分析 | 第60-71页 |
| ·用透射光谱测定光学常数及薄膜厚度的理论基础 | 第60-63页 |
| ·透射谱的分析方法和结果讨论 | 第63-71页 |
| ·AlN薄膜的结构分析 | 第71-75页 |
| ·本章讨论 | 第75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-77页 |
| 6 放电条件对AlN薄膜成膜空间中等离子体成分的影响 | 第77-92页 |
| ·RBS结果分析 | 第77-80页 |
| ·光谱分析原理与实验方法 | 第80-86页 |
| ·光谱分析原理 | 第80页 |
| ·光谱采集模型及成膜空间的放电条件 | 第80-81页 |
| ·Al、N、O、Ar四种元素的谱线标定 | 第81-86页 |
| ·Al、N、O、Ar四种元素发光光谱的数据记录和强度分析 | 第86-90页 |
| ·工作气压对元素谱线强度的影响 | 第87-88页 |
| ·氮气百分含量对元素谱线强度的影响 | 第88-90页 |
| ·本章讨论 | 第90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-92页 |
| 7 结论与展望 | 第92-94页 |
| 致谢 | 第94-96页 |
| 已发表的论文 | 第96-98页 |
