| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| ·铁电晶体的物理特性及其结构 | 第8-11页 |
| ·铁电畴和电滞回线 | 第8页 |
| ·铁电晶体的疲劳 | 第8-10页 |
| ·层状钙钛矿铁电晶体的结构 | 第10-11页 |
| ·铁电薄膜的制备工艺 | 第11-13页 |
| ·溅射法 | 第12页 |
| ·金属有机化学气相沉积法 | 第12页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第12页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第12-13页 |
| ·铁电晶体的应用及其研究进展 | 第13-15页 |
| ·存储器 | 第13-14页 |
| ·热释电红外探测器件 | 第14-15页 |
| ·微电子机械系统 | 第15页 |
| ·弛豫性铁电体的基本特征及其研究进展 | 第15-17页 |
| ·铁电相变 | 第15-16页 |
| ·弛豫铁电体的基本特征 | 第16页 |
| ·弛豫铁电体的研究意义和研究进展 | 第16-17页 |
| ·本论文工作的主要内容 | 第17-24页 |
| 第二章 Sol-Gel法薄膜制备工艺对铁电性能的影响 | 第24-45页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·薄膜制备的Sol-Gel技术 | 第24-27页 |
| ·Sol-Gel基本过程 | 第25-26页 |
| ·Sol-Gel影响因素 | 第26页 |
| ·Sol-Gel技术的优缺点 | 第26-27页 |
| ·工艺过程对薄膜生长及性能的影响 | 第27-41页 |
| ·薄膜制备 | 第27-29页 |
| ·标准分析 | 第29-31页 |
| ·工艺过程对薄膜生长及性能的影响 | 第31-41页 |
| ·本章小结 | 第41-45页 |
| 第三章 SrBi_(4-x)Nd_xTi_4O_(15)薄膜的制备及其性能研究 | 第45-55页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·Sol-Gel法制备薄膜及其性能研究 | 第46-52页 |
| ·样品制备 | 第46页 |
| ·结构分析 | 第46-47页 |
| ·形貌分析 | 第47-49页 |
| ·铁电性能测量 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-55页 |
| 第四章 La掺杂陶瓷弛豫性介电性能的初步研究 | 第55-72页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·样品制备及结构分析 | 第56-57页 |
| ·样品制备 | 第56-57页 |
| ·X射线衍射分析 | 第57页 |
| ·La掺杂诱发弛豫性介电性能 | 第57-68页 |
| ·目前几种无序机制 | 第57页 |
| ·介电常数随温度变化谱 | 第57-59页 |
| ·Raman散射法研究及弛豫机制探讨 | 第59-68页 |
| ·本章小结 | 第68-72页 |
| 第五章 工作总结 | 第72-74页 |
| 已发表及待发表文章 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76页 |