新型CMOS基准源的研究与设计
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·基准源的研究意义 | 第8页 |
| ·CMOS 基准源的研究 | 第8-10页 |
| ·标准 CMOS 工艺器件模型的研究背景 | 第10-11页 |
| ·论文的主要内容 | 第11-12页 |
| 第二章 MOS 器件模型及其亚阈值特性分析 | 第12-27页 |
| ·Level 和 BSIM 模型分析 | 第12-15页 |
| ·基于 BSIM3 的 MOS 器件模型分析 | 第15-21页 |
| ·MOS 器件模型的仿真分析 | 第21-27页 |
| 第三章 MOS 器件模型仿真分析与基准源模型优化 | 第27-36页 |
| ·现有基准源模型分析 | 第27-31页 |
| ·纯 MOS 管基准源模型的优化 | 第31-36页 |
| 第四章 高精度基准源的设计 | 第36-47页 |
| ·启动电路与电流源 | 第36-42页 |
| ·基准源主体电路 | 第42-45页 |
| ·电流模块 | 第45-47页 |
| 第五章 仿真验证与分析 | 第47-53页 |
| ·DC 仿真分析 | 第47-49页 |
| ·AC 仿真分析 | 第49-50页 |
| ·瞬态仿真分析 | 第50-51页 |
| ·一些基准源的技术参数对比 | 第51-53页 |
| 结束语 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 在校期间发表论文 | 第58页 |