| 第一章 前言 | 第1-16页 |
| §1．1 以往的压力传感器的类型及特点 | 第8-10页 |
| §1．2 国内外的陶瓷电容式压力传感器的研究现状 | 第10-11页 |
| §1．3 陶瓷电容式压力传感器的结构原理 | 第11-12页 |
| §1．4 本工作的主要目的 | 第12-13页 |
| §1．5 主要研究内容及工艺过程 | 第13-16页 |
| 第二章 传感器基体的研究 | 第16-26页 |
| §2．1 陶瓷基座、膜片材料的选择 | 第16页 |
| §2．2 氧化铝陶瓷的特点 | 第16-17页 |
| §2．3 氧化铝陶瓷的矿物组成及配方设计 | 第17-18页 |
| §2．4 氧化铝陶瓷的增韧 | 第18-20页 |
| §2．5 显微结构对陶瓷力学性能的影响 | 第20-21页 |
| §2．6 陶瓷基座及膜片的生产方法 | 第21-24页 |
| §2．7 陶瓷材料的烧结和冷加工 | 第24-25页 |
| §2．8 小结 | 第25-26页 |
| 第三章 电容电极及其绝缘膜的试制 | 第26-40页 |
| §3．1 金电极浆料的制备 | 第26-28页 |
| §3．2 电极形状的设计 | 第28-29页 |
| §3．3 金电极的制备 | 第29页 |
| §3．4 溶胶-凝胶法制备绝缘膜 | 第29-36页 |
| §3．5 化学气相沉淀法（CVD法） | 第36-37页 |
| §3．6 PVD物理气相沉积法（PVD physical vapor deposition） | 第37-38页 |
| §3．7 溅射法 | 第38页 |
| §3．8 小节 | 第38-40页 |
| 第四章 介质腔的形成及封接 | 第40-44页 |
| §4．1 介质腔厚度D的选择 | 第40-41页 |
| §4．2 介质腔的制造 | 第41页 |
| §4．3 膨胀系数对传感器高温封接的影响 | 第41-42页 |
| §4．4 复合型封接 | 第42-43页 |
| §4．5 结晶型封接 | 第43页 |
| §4．6 两种封接方法的比较 | 第43-44页 |
| 第五章 处理电路的研究 | 第44-50页 |
| §5．1 专用处理电路的分离元件试验 | 第44-46页 |
| §5．2 专用集成电路芯片的试验 | 第46页 |
| §5．3 专用厚膜电路的试验 | 第46-50页 |
| 第六章 陶瓷压力传感器的测试及整体评价 | 第50-54页 |
| §6．1 测试标准 | 第50页 |
| §6．2 迟滞、重复性 | 第50-51页 |
| §6．3 温度漂移 | 第51-52页 |
| §6．4 蠕变特性 | 第52-53页 |
| §6．5 抗过载能力 | 第53页 |
| §6．6 综合评价 | 第53-54页 |
| 第七章 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读硕士研究生期间已发表论文、获得的科研成果和专利 | 第61页 |