硅基光接收集成宽带放大器设计

第一章 绪论	第1-10页
1．1 通信技术的发展与光纤通信	第7页
1．2 硅基光电集成电路（OEIC）发展概况	第7-8页
1．3 宽带放大器的发展概况及研究意义	第8-10页
第二章 MOSFET的结构、工作原理及特性分析	第10-15页
2．1 引言	第10-11页
2．2 MOSFET的基本结构及工作原理	第11-15页
第三章 MOSFET的频率特性分析	第15-27页
3．1 MOSFET的本征电容	第15-20页
3．2 MOSFET的小信号模型	第20-24页
3．3 热载流子效应	第24页
3．4 SOI技术对MOSFET性能的影响	第24-27页
第四章 宽带放大器的工作原理	第27-44页
4．1 高频NMOS	第27页
4．2 组合晶体管	第27-31页
4．3 零点极点对消技术	第31-33页
4．4 电流放大器	第33-44页
第五章 宽带放大器电路组成	第44-54页
5．1 宽带放大器的基本结构	第44页
5．2 电流传输器	第44-47页
5．3 互阻放大器V41	第47-50页
5．4 输出级	第50-52页
5．5 偏置电路	第52-54页
第六章 结论	第54-55页
参考文献	第55-58页
附录1 宽带放大器总电路图	第58-59页
附录2 MOSFET的模型参数	第59-61页
致谢	第61页