| 中文摘要 | 第1-3页 |
| 英文摘要 | 第3-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| 1．1 功率电子学（Power Electronics）的发展 | 第7页 |
| 1．2 功率集成电路（Power IC、PIC） | 第7-10页 |
| 1．3 本课题的主要研究工作 | 第10-12页 |
| 第二章 电子镇流器与功率因数校正技术研究 | 第12-36页 |
| 2．1 电子镇流器（Electronic Ballast）简介 | 第12-14页 |
| 2．2 电流谐波和功率因数问题的由来 | 第14-23页 |
| 2．2．1 电流波形畸变和电流谐波的危害 | 第14-16页 |
| 2．2．2 单相整流电路中的电流谐波分析 | 第16-19页 |
| 2．2．3 电流谐波与功率因数的关系 | 第19-22页 |
| 2．2．4 功率因数校正技术的产生和发展 | 第22-23页 |
| 2．3 有源功率因数校正的基本原理 | 第23-30页 |
| 2．3．1 功率因数校正系统的基本功能 | 第23-24页 |
| 2．3．2 功率因数校正的基本方法 | 第24页 |
| 2．3．2．1 无源整形法 | 第24-25页 |
| 2．3．2．2 有源整形法 | 第25-26页 |
| 2．3．3 有源功率因数校正系统的功率级结构 | 第26页 |
| 2．3．3．1 功率因数校正电路与Boost拓扑 | 第26-27页 |
| 2．3．3．2 Boost变换器的基本工作原理 | 第27-30页 |
| 2．4 采用变滞环控制方式的Boost-PFC电路的工作原理 | 第30-35页 |
| 2．4．1 电路的工作原理分析 | 第30-32页 |
| 2．4．2 输入电流正弦化的实现 | 第32-35页 |
| 2．5 小结 | 第35-36页 |
| 第三章 电路的设计与仿真 | 第36-59页 |
| 3．1 模拟乘法器（Multiplier） | 第36-48页 |
| 3．1．1 模拟乘法器概述 | 第36-37页 |
| 3．1．2 模拟乘法器的性质 | 第37页 |
| 3．1．3 基于CMOS工艺的模拟乘法器电路实现 | 第37-38页 |
| 3．1．3．1 有源衰减器 | 第38-40页 |
| 3．1．3．2 MOS型Gilbert单元 | 第40-42页 |
| 3．1．3．3 模拟乘法器的管级设计 | 第42-48页 |
| 3．2 比较器（Comparator） | 第48-50页 |
| 3．3 欠压保护电路的设计（Undervoltage Lockout） | 第50-52页 |
| 3．3．1 欠压保护的必要性 | 第50页 |
| 3．3．2 欠压保护电路的实现 | 第50-52页 |
| 3．4 过压保护电路（Overvoltage Protection） | 第52-55页 |
| 3．4．1 过压保护的必要性 | 第52页 |
| 3．4．2 过压保护电路的实现 | 第52-55页 |
| 3．5 过零检测电路（Zero Current Detection） | 第55-56页 |
| 3．6 误差放大器（Error Amplifier） | 第56页 |
| 3．7 R-S触发器（R-S Flip-Flop） | 第56-57页 |
| 3．8 驱动电路（Driver） | 第57-58页 |
| 3．9 小结 | 第58-59页 |
| 第四章 工艺与版图设计 | 第59-65页 |
| 4．1 工艺设计 | 第59-62页 |
| 4．1．1 工艺参数对MOS器件性能的影响 | 第59页 |
| 4．1．2 阈值电压调整 | 第59-62页 |
| 4．2 版图设计 | 第62-65页 |
| 4．2．1 版图设计对电路性能的影响 | 第62页 |
| 4．2．1．1 导电层的选择 | 第62-63页 |
| 4．2．1．2 防止闩锁效应 | 第63页 |
| 4．2．2 版图的设计规则 | 第63页 |
| 4．2．3 CAD版图设计 | 第63-65页 |
| 第五章 测试结果 | 第65-69页 |
| 5．1 SPIC中电路的测试结果 | 第65-68页 |
| 5．2 测试结果分析 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-71页 |
