| 第一章 前言 | 第1-10页 |
| ·Ga(In)NAs材料体系的兴起及其迅猛发展 | 第6-7页 |
| ·现状及存在的问题 | 第7-8页 |
| ·本论文的主要工作 | 第8-10页 |
| 第二章 N在GaAs中的巨大能带弯曲(理论和实验基础) | 第10-22页 |
| ·N在GaAs中的奇特行为 | 第10页 |
| ·轻掺杂时N在GaAs中的能级及As在GaN中的能级 | 第10-11页 |
| ·GaNAs的能带结构 | 第11-13页 |
| ·GaN_xAs(x＜0.1)的能带的物理本质 | 第13-22页 |
| 第三章 GaNAs／GaAs量子阱的压力光谱研究 | 第22-33页 |
| ·半导体材料的流体静压力特性 | 第22-24页 |
| ·流体静压力下光谱测量的实验配置 | 第24-26页 |
| ·GaN_(0.015)As_(0.985)流体阱压力下的光谱特性 | 第26-29页 |
| ·GaNAs的新的带边的物理本质 | 第29-33页 |
| 第四章 GaNAs／GaAs量子阱的光学特性 | 第33-44页 |
| ·样品及实验配置 | 第33页 |
| ·GaN_(0.015)As_(0.985)／GaAs单量子阱的光谱特征 | 第33-35页 |
| ·GaN_(0.015)As_(0.085)／GaAs量子阱的光学特性随温度的关系 | 第35-38页 |
| ·GaNAs／GaAs单量子阱的电子态与阱宽的依赖关系 | 第38-39页 |
| ·GaNAs／GaAs量子阱的量子限制效应的本质 | 第39-40页 |
| ·GaNAs／GaAs量子阱的光荧光谱随N的含量依赖性 | 第40-41页 |
| ·较高N组分的GaN_(0.33)As／GaAs超晶格制备及光谱特性 | 第41-44页 |
| 第五章 GaInNAs的光电特性和基于GaInNAs／GaAs量子阱的共振腔增强型红外微腔测器 | 第44-49页 |
| 第六章 结论 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-52页 |
| 个人简历 | 第52-53页 |
| 文章目录 | 第53-54页 |
