MEMS器件的可靠性研究与测试系统的开发
摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-13页 |
第一章 绪论 | 第13-21页 |
·MEMS的概况 | 第13-18页 |
·MEMS的基本概念 | 第13-14页 |
·MEMS的基本特点 | 第14-15页 |
·MEMS技术分类及应用 | 第15-18页 |
·研究背景和意义 | 第18页 |
·本论文主要研究内容和创新 | 第18-19页 |
·MEMS器件(射频开关)的可靠性研究 | 第18-19页 |
·MEMS器件(压力传感器)的测试系统开发 | 第19页 |
·本论文的创新 | 第19页 |
参考文献 | 第19-21页 |
第二章 MEMS技术在射频和传感领域的应用 | 第21-33页 |
·引言 | 第21页 |
·RF MEMS开关的概述 | 第21-25页 |
·RF MEMS器件的简介 | 第21-22页 |
·RF MEMS开关的分类 | 第22-24页 |
·国内外研究现状与分析 | 第24-25页 |
·MEMS压力传感器的概述 | 第25-31页 |
·MEMS压力传感器及其发展 | 第25页 |
·电容式MEMS压力传感器 | 第25-27页 |
·电容式传感器的检测电路 | 第27-31页 |
·本章小结 | 第31页 |
参考文献 | 第31-33页 |
第三章 MEMS器件(射频开关)的可靠性研究 | 第33-57页 |
·引言 | 第33页 |
·电容式RF MEMS开关可靠性分析模型的建立 | 第33-37页 |
·氮化硅薄膜充/放电机制的研究 | 第37-46页 |
·硅晶片的清洗 | 第38页 |
·氮化硅薄膜的制备 | 第38-39页 |
·氮化硅薄膜介质MIS器件的制备 | 第39-40页 |
·MIS器件的电容-电压(C-V)测量装置 | 第40页 |
·直流电压对MIS器件充放电特性和电荷迟豫的影响 | 第40-43页 |
·MIS器件的放电特性 | 第43-44页 |
·致动电压波形对充电电荷控制的研究 | 第44-46页 |
·离子注入对电介质材料电荷积累的影响 | 第46-51页 |
·氮化硅薄膜的离子注入掺杂 | 第46页 |
·介质薄膜样品的C-V特性曲线 | 第46-48页 |
·对LPCVD样品进行加压后的测试结果分析 | 第48-49页 |
·对PECVD样品进行加压后的测试结果分析 | 第49-50页 |
·实验结果讨论 | 第50-51页 |
·复合介质膜的充放电特性研究 | 第51-54页 |
·复合介质膜的制备 | 第51-52页 |
·复合介质膜的C-V特性曲线 | 第52-53页 |
·恒压下的充放电特性的研究 | 第53-54页 |
·实验结果讨论 | 第54页 |
·本章小结 | 第54页 |
参考文献 | 第54-57页 |
第四章 MEMS器件(压力传感器)测试系统的开发 | 第57-93页 |
·引言 | 第57页 |
·MEMS压力传感器的制作工艺及测试方法的研究 | 第57-64页 |
·MEMS电容式压力传感器的结构和工作原理 | 第57-58页 |
·接触式电容压力传感器的基本原理和结构 | 第58-59页 |
·接触式电容压力传感器的ANSYS仿真 | 第59-62页 |
·传感器的制作工艺的研究 | 第62-64页 |
·MEMS压力传感器的标定 | 第64-67页 |
·标定的定义 | 第64页 |
·传感器的静态标定 | 第64-65页 |
·传感器的动态标定 | 第65-66页 |
·最小二乘法线性拟合原理 | 第66-67页 |
·测试系统的硬件平台设计 | 第67-72页 |
·测试系统的方案选择及原理框架 | 第67-69页 |
·测试系统的硬件设计 | 第69-70页 |
·数据采集卡及其他硬件 | 第70-72页 |
·测试系统的电路设计 | 第72-80页 |
·电容-电压转换电路的设计 | 第72页 |
·CAV424芯片 | 第72-77页 |
·电路板制版流程 | 第77-80页 |
·测试系统的软件设计 | 第80-91页 |
·图形化编程语言—LabVIEW简介 | 第80-81页 |
·测试系统的软件设计框图 | 第81-82页 |
·虚拟测试系统前面板的设计 | 第82-83页 |
·软件的模块化设计 | 第83-89页 |
·软件的封装 | 第89-91页 |
·本章小结 | 第91-92页 |
参考文献 | 第92-93页 |
第五章 总结 | 第93-95页 |
致谢 | 第95-97页 |
攻读硕士阶段发表的论文 | 第97页 |