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MEMS器件的可靠性研究与测试系统的开发

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-13页
第一章 绪论第13-21页
   ·MEMS的概况第13-18页
     ·MEMS的基本概念第13-14页
     ·MEMS的基本特点第14-15页
     ·MEMS技术分类及应用第15-18页
   ·研究背景和意义第18页
   ·本论文主要研究内容和创新第18-19页
     ·MEMS器件(射频开关)的可靠性研究第18-19页
     ·MEMS器件(压力传感器)的测试系统开发第19页
     ·本论文的创新第19页
 参考文献第19-21页
第二章 MEMS技术在射频和传感领域的应用第21-33页
   ·引言第21页
   ·RF MEMS开关的概述第21-25页
     ·RF MEMS器件的简介第21-22页
     ·RF MEMS开关的分类第22-24页
     ·国内外研究现状与分析第24-25页
   ·MEMS压力传感器的概述第25-31页
     ·MEMS压力传感器及其发展第25页
     ·电容式MEMS压力传感器第25-27页
     ·电容式传感器的检测电路第27-31页
   ·本章小结第31页
 参考文献第31-33页
第三章 MEMS器件(射频开关)的可靠性研究第33-57页
   ·引言第33页
   ·电容式RF MEMS开关可靠性分析模型的建立第33-37页
   ·氮化硅薄膜充/放电机制的研究第37-46页
     ·硅晶片的清洗第38页
     ·氮化硅薄膜的制备第38-39页
     ·氮化硅薄膜介质MIS器件的制备第39-40页
     ·MIS器件的电容-电压(C-V)测量装置第40页
     ·直流电压对MIS器件充放电特性和电荷迟豫的影响第40-43页
     ·MIS器件的放电特性第43-44页
     ·致动电压波形对充电电荷控制的研究第44-46页
   ·离子注入对电介质材料电荷积累的影响第46-51页
     ·氮化硅薄膜的离子注入掺杂第46页
     ·介质薄膜样品的C-V特性曲线第46-48页
     ·对LPCVD样品进行加压后的测试结果分析第48-49页
     ·对PECVD样品进行加压后的测试结果分析第49-50页
     ·实验结果讨论第50-51页
   ·复合介质膜的充放电特性研究第51-54页
     ·复合介质膜的制备第51-52页
     ·复合介质膜的C-V特性曲线第52-53页
     ·恒压下的充放电特性的研究第53-54页
     ·实验结果讨论第54页
   ·本章小结第54页
 参考文献第54-57页
第四章 MEMS器件(压力传感器)测试系统的开发第57-93页
   ·引言第57页
   ·MEMS压力传感器的制作工艺及测试方法的研究第57-64页
     ·MEMS电容式压力传感器的结构和工作原理第57-58页
     ·接触式电容压力传感器的基本原理和结构第58-59页
     ·接触式电容压力传感器的ANSYS仿真第59-62页
     ·传感器的制作工艺的研究第62-64页
   ·MEMS压力传感器的标定第64-67页
     ·标定的定义第64页
     ·传感器的静态标定第64-65页
     ·传感器的动态标定第65-66页
     ·最小二乘法线性拟合原理第66-67页
   ·测试系统的硬件平台设计第67-72页
     ·测试系统的方案选择及原理框架第67-69页
     ·测试系统的硬件设计第69-70页
     ·数据采集卡及其他硬件第70-72页
   ·测试系统的电路设计第72-80页
     ·电容-电压转换电路的设计第72页
     ·CAV424芯片第72-77页
     ·电路板制版流程第77-80页
   ·测试系统的软件设计第80-91页
     ·图形化编程语言—LabVIEW简介第80-81页
     ·测试系统的软件设计框图第81-82页
     ·虚拟测试系统前面板的设计第82-83页
     ·软件的模块化设计第83-89页
     ·软件的封装第89-91页
   ·本章小结第91-92页
 参考文献第92-93页
第五章 总结第93-95页
致谢第95-97页
攻读硕士阶段发表的论文第97页

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