磁控溅射SiC薄膜制备及其场发射相关性能研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-34页 |
| ·宽禁带半导体材料概述 | 第12-14页 |
| ·SiC 半导体材料及其性质 | 第14-19页 |
| ·SiC 的结构特性 | 第14-17页 |
| ·SiC 的理化性质 | 第17-18页 |
| ·SiC 的掺杂 | 第18-19页 |
| ·SiC 晶体生长 | 第19-28页 |
| ·SiC 单晶体生长 | 第19-21页 |
| ·SiC 薄膜生长 | 第21-28页 |
| ·SiC 场发射及相关器件研究现状 | 第28-32页 |
| ·本文的主要工作 | 第32-34页 |
| 第2章 SiC 薄膜的生长及其机理 | 第34-53页 |
| ·薄膜制备方法概述 | 第34-41页 |
| ·薄膜的物理气相沉积 | 第34-39页 |
| ·薄膜的化学气相沉积 | 第39-41页 |
| ·SiC 薄膜的磁控溅射沉积 | 第41-47页 |
| ·基片准备与安装 | 第44页 |
| ·实验准备 | 第44-45页 |
| ·预溅射及薄膜生长 | 第45页 |
| ·样品取出 | 第45-47页 |
| ·薄膜的生长机理 | 第47-51页 |
| ·薄膜形核 | 第47-49页 |
| ·连续薄膜的形成 | 第49-50页 |
| ·薄膜的生长 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第3章 磁控溅射 SiC 薄膜的物性分析 | 第53-75页 |
| ·薄膜材料表征方法概述 | 第53-59页 |
| ·薄膜的厚度测量 | 第53-54页 |
| ·薄膜结构表征方法 | 第54-57页 |
| ·薄膜成分表征方法 | 第57-59页 |
| ·磁控溅射 SiC 薄膜的物性分析 | 第59-70页 |
| ·薄膜厚度 | 第59-62页 |
| ·薄膜表面形貌 | 第62-66页 |
| ·薄膜 XRD 衍射分析 | 第66-68页 |
| ·薄膜 EDS 能谱分析 | 第68-70页 |
| ·磁控溅射 SiC 薄膜的电学性能测试分析 | 第70-74页 |
| ·导电机理理论 | 第70-71页 |
| ·磁控溅射 SiC 薄膜的电学性能测试分析 | 第71-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第4章 磁控溅射 SiC 薄膜的场发射性能 | 第75-87页 |
| ·场电子发射及其机理 | 第75-78页 |
| ·场电子发射性能测试 | 第78-80页 |
| ·磁控溅射 SiC 薄膜场发射性能 | 第80-86页 |
| ·直流溅射功率对薄膜场发射性能的影响 | 第81-83页 |
| ·溅射时间对薄膜场发射性能的影响 | 第83-84页 |
| ·沉积温度对薄膜场发射性能的影响 | 第84-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| 结论 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-98页 |
| 攻读博士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第98-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
| 作者简介 | 第100页 |
