| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第13-31页 |
| 1.1 引言 | 第13-15页 |
| 1.2 LED简介 | 第15-18页 |
| 1.2.1 LED发展简介 | 第15-16页 |
| 1.2.2 LED封装工艺 | 第16-17页 |
| 1.2.3 LED的结温 | 第17-18页 |
| 1.2.4 LED的热阻 | 第18页 |
| 1.3 LED散热研究现状 | 第18-21页 |
| 1.3.1 LED散热问题 | 第18-20页 |
| 1.3.2 LED散热基板 | 第20-21页 |
| 1.4 SiC陶瓷基板 | 第21-24页 |
| 1.4.1 SiC晶体结构 | 第22-23页 |
| 1.4.2 SiC薄膜制备方法 | 第23-24页 |
| 1.4.3 SiC材料的LED应用 | 第24页 |
| 1.5 选题目的及研究内容 | 第24-26页 |
| 1.5.1 选题目的 | 第25页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-31页 |
| 第二章 实验原料与表征仪器 | 第31-37页 |
| 2.1 实验试剂 | 第31页 |
| 2.2 实验仪器 | 第31-32页 |
| 2.3 薄膜电热学性能表征 | 第32-34页 |
| 2.3.1 电阻率表征 | 第32-33页 |
| 2.3.2 热导率表征 | 第33-34页 |
| 2.4 薄膜成分结构分析 | 第34-36页 |
| 2.4.1 FTIR光谱分析 | 第34页 |
| 2.4.2 Raman光谱分析 | 第34-35页 |
| 2.4.3 薄膜SEM分析 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-37页 |
| 第三章 硅氧碳自由薄膜的裂解工艺与主要电学热学性能 | 第37-47页 |
| 3.1 硅氧碳自由薄膜的制备 | 第38-39页 |
| 3.2 薄膜性能表征 | 第39-40页 |
| 3.2.1 薄膜绝缘性能分析 | 第39页 |
| 3.2.2 薄膜热学性能分析 | 第39-40页 |
| 3.3 薄膜成分结构分析 | 第40-43页 |
| 3.3.1 薄膜FTIR光谱分析 | 第40-41页 |
| 3.3.2 薄膜Raman光谱分析 | 第41-42页 |
| 3.3.3 薄膜SEM分析 | 第42-43页 |
| 3.4 讨论分析 | 第43-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第四章 基于硅氧碳自由薄膜散热基板封装LED及其初步应用 | 第47-62页 |
| 4.1 硅氧碳自由薄膜散热基板LED的封装 | 第48-50页 |
| 4.2 LED热学性能表征 | 第50-56页 |
| 4.2.1 LED器件K系数表征 | 第50-52页 |
| 4.2.2 LED器件热阻分析 | 第52-54页 |
| 4.2.3 LED器件升温特性分析 | 第54-56页 |
| 4.3 LED器件光色电特性分析 | 第56-58页 |
| 4.4 讨论分析 | 第58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 第五章 结论与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 结论 | 第62页 |
| 5.2 展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64页 |