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界面耦合强度对Co/Ni双层膜磁性影响的研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-14页
    1.1 引言第10页
    1.2 磁性随机存储器第10-13页
        1.2.1 垂直磁各向异性磁性隧道结第10-11页
        1.2.2 垂直磁各向异性原理第11-12页
        1.2.3 自旋转移力矩:存储原理和操作第12-13页
    1.3 本文的主要研究内容第13-14页
第2章 研究方法与理论基础第14-30页
    2.1 微磁学模拟第14-18页
        2.1.1 容器(Atlases)第14-15页
        2.1.2 网格(Meshes)第15页
        2.1.3 能量(Energies)第15-16页
        2.1.4 演化器(Evolvers)第16-17页
        2.1.5 驱动器(Drivers)第17页
        2.1.6 场对象(Field Objects)第17-18页
    2.2 原子自旋模拟第18-29页
        2.2.1 原子自旋模型第20-22页
        2.2.2 系统参数化和体系构建第22-23页
        2.2.3 积分方法第23-29页
    2.3 本章小结第29-30页
第3章 Co/Ni双层膜的静态与动态磁性研究第30-42页
    3.1 Co/Ni双层膜的磁化翻转研究第30-34页
        3.1.1 表面(界面)效应及磁化翻转第30-31页
        3.1.2 计算模型第31-32页
        3.1.3 结果与讨论第32-34页
    3.2 Co/Ni双层膜的超快退磁研究第34-41页
        3.2.1 超快退磁第34-37页
        3.2.2 计算模型第37-38页
        3.2.3 结果与讨论第38-41页
    3.3 本章小结第41-42页
结论第42-43页
参考文献第43-48页
攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果第48-49页
致谢第49页

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