| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-30页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 忆阻器的研究和发展 | 第11-22页 |
| 1.2.1 忆阻器简介 | 第11-13页 |
| 1.2.2 应用于信息存储 | 第13-16页 |
| 1.2.3 应用于逻辑运算 | 第16-18页 |
| 1.2.4 应用于神经功能模拟 | 第18-22页 |
| 1.3 忆阻器的分类和阻变机理 | 第22-28页 |
| 1.3.1 阻变行为的分类 | 第22-24页 |
| 1.3.2 导电机制的介绍 | 第24页 |
| 1.3.3 导电丝模型理论 | 第24-27页 |
| 1.3.4 肖特基势垒模型理论 | 第27-28页 |
| 1.4 论文选题意义及研究内容 | 第28-30页 |
| 第二章 CuO薄膜忆阻器的制备、表征及性能测试 | 第30-51页 |
| 2.1 CuO薄膜器件的制备 | 第30-35页 |
| 2.1.1 磁控溅射薄膜沉积原理、特点及分类 | 第30-32页 |
| 2.1.2 薄膜器件的结构 | 第32页 |
| 2.1.3 薄膜制备的工艺过程 | 第32-35页 |
| 2.2 材料表征方法原理 | 第35-38页 |
| 2.2.1 XRD物相分析原理 | 第35-36页 |
| 2.2.2 SEM形貌分析原理 | 第36-37页 |
| 2.2.3 XPS元素分析原理 | 第37-38页 |
| 2.3 电性能测试原理 | 第38-41页 |
| 2.3.1 测试系统 | 第38页 |
| 2.3.2 测试流程 | 第38-40页 |
| 2.3.3 忆阻器电学性能参数 | 第40-41页 |
| 2.4 实验结果分析与讨论 | 第41-50页 |
| 2.4.1 XRD结果分析 | 第41-43页 |
| 2.4.2 SEM结果分析 | 第43页 |
| 2.4.3 电性能测试结果分析 | 第43-47页 |
| 2.4.4 阻变机理分析与讨论 | 第47-50页 |
| 2.5 本章小节 | 第50-51页 |
| 第三章 ZnO、Ta_2O_5薄膜忆阻器的制备、表征及性能测试 | 第51-60页 |
| 3.1 ZnO薄膜器件的制备 | 第51-52页 |
| 3.1.1 ZnO薄膜的生长 | 第51页 |
| 3.1.2 器件的制备 | 第51-52页 |
| 3.2 电性能测试 | 第52-54页 |
| 3.2.1 阻变I-V曲线测试 | 第52-54页 |
| 3.2.2 测试结果的分析总结 | 第54页 |
| 3.3 Metal/Ta_2O_5/Pt器件的构建 | 第54-55页 |
| 3.3.1 Ta_2O_5薄膜材料的制备 | 第54-55页 |
| 3.3.2 器件的制备 | 第55页 |
| 3.4 器件表征及电性能测试 | 第55-58页 |
| 3.4.1 SEM分析 | 第55-56页 |
| 3.4.2 电性能测试与结果分析 | 第56-58页 |
| 3.5 本章小节 | 第58-60页 |
| 第四章 基于CuO、ZnO、Ta_2O_5异质结忆阻器件的研究 | 第60-80页 |
| 4.1 Ag/Ta_2O_5/CuO/Pt双层型器件的制备 | 第60-61页 |
| 4.1.1 薄膜器件的结构设计 | 第60页 |
| 4.1.2 器件的工艺流程参数 | 第60-61页 |
| 4.2 电性能测试及结果分析讨论 | 第61-68页 |
| 4.2.1 电性能测试分析 | 第61-64页 |
| 4.2.2 神经学及心理学应用研究 | 第64-65页 |
| 4.2.3 阻变机理分析讨论 | 第65-68页 |
| 4.3 Pt/Ti/Ta_2O_5/ZnO/Pt双层型器件的制备 | 第68-70页 |
| 4.3.1 薄膜器件的结构设计 | 第68-69页 |
| 4.3.2 器件的薄膜工艺参数 | 第69-70页 |
| 4.4 结构表征,电性能测试及结果分析讨论 | 第70-79页 |
| 4.4.1 SEM和XPS分析 | 第70-71页 |
| 4.4.2 电学性能分析 | 第71-75页 |
| 4.4.3 神经学应用研究 | 第75-76页 |
| 4.4.4 阻变机理讨论 | 第76-79页 |
| 4.5 本章小节 | 第79-80页 |
| 第五章 结论 | 第80-82页 |
| 5.1 总结 | 第80-81页 |
| 5.2 展望 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-91页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表的论文和会议摘要 | 第91页 |
