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二维电子材料MoS2宽光谱超快磁光Kerr特性的研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5页
第一章 绪论第8-14页
    1.1 引言第8-9页
    1.2 磁光克尔效应及其应用第9-10页
    1.3 国内外研究现状第10-11页
        1.3.1 国外研究现状第10-11页
        1.3.2 国内研究现状第11页
    1.4 研究目的及意义第11-12页
    1.5 本论文的主要工作第12-14页
第二章 磁光克尔效应理论第14-31页
    2.1 磁光效应的概述第14-17页
        2.1.1 法拉第效应第14页
        2.1.2 磁光克尔效应第14-17页
    2.2 磁光克尔效应与介电张量第17-19页
    2.3 克尔效应的代数计算第19-24页
    2.4 三温度模型第24-30页
    2.5 小结第30-31页
第三章 二维电子材料MOS_2的物理特性第31-36页
    3.1 MOS_2基本特性第31-34页
    3.2 MOS_2的应用第34-35页
    3.3 小结第35-36页
第四章 MOKE和TR-MOKE的系统搭建第36-45页
    4.1 系统整体结构第36-37页
    4.2 各部分系统组成第37-40页
    4.3 数据采集及处理第40-44页
        4.3.1 分束探测第40-41页
        4.3.2 差分探测第41-42页
        4.3.3 模拟差分与数字差分第42-44页
    4.4 超连续白光的产生第44页
    4.5 小结第44-45页
第五章 MOS_2磁光特性研究第45-55页
    5.1 宽光谱MOKE功能验证第45-49页
    5.2 MOS_2数据测量第49-54页
        5.2.1 反射谱第49-50页
        5.2.2 XRD衍射图第50页
        5.2.3 MOKE方法测量克尔旋转角与波长的关系第50-51页
        5.2.4 TR-MOKE方法测量克尔旋转角与波长的关系第51-54页
    5.3 小结第54-55页
总结第55-56页
致谢第56-57页
参考文献第57-59页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第59-60页

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