中文摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第12-40页 |
1.1 有机半导体单晶材料概述 | 第12-13页 |
1.2 有机半导体单晶薄膜的制备方法 | 第13-30页 |
1.2.1 溶剂挥发诱导自组装 | 第13-16页 |
1.2.2 旋涂法 | 第16-19页 |
1.2.3 提拉法 | 第19-21页 |
1.2.4 刮涂法 | 第21-25页 |
1.2.5 液液界面自组装法 | 第25-28页 |
1.2.6 喷墨打印 | 第28-29页 |
1.2.7 气相法 | 第29-30页 |
1.3 有机单晶薄膜在场效应晶体管中的应用及发展前景 | 第30-33页 |
1.3.1 有机场效应晶体管的基本结构与性能参数 | 第30-32页 |
1.3.2 有机单晶薄膜场效应晶体管的发展状况 | 第32-33页 |
1.4 课题的意义与主要内容 | 第33-35页 |
参考文献 | 第35-40页 |
第二章 大面积阵列化的有机单晶纳米带薄膜的生长及其在有机场效应晶体管中的应用 | 第40-56页 |
2.1 引言 | 第40-41页 |
2.2 实验部分 | 第41-43页 |
2.2.1 实验材料 | 第41-42页 |
2.2.2 BPEA与TIPS-PEN纳米带阵列的制备与表征 | 第42-43页 |
2.2.3 基于BPEA与TIPS-PEN纳米带阵列薄膜的OFET制备与测试 | 第43页 |
2.3 结果与讨论 | 第43-52页 |
2.3.1 大面积有机单晶纳米带阵列薄膜的制备 | 第43-44页 |
2.3.2 有序纳米带阵列薄膜的晶体结构表征 | 第44-45页 |
2.3.3 有机单晶纳米带阵列薄膜形貌调控 | 第45-47页 |
2.3.4 基于有序单晶纳米带阵列器件的制备及LED驱动 | 第47-52页 |
2.4 本章小结 | 第52页 |
参考文献 | 第52-56页 |
第三章 大面积二维有机半导体单晶薄膜的制备及其在有机场效应晶体管中的应用 | 第56-82页 |
3.1 引言 | 第56-57页 |
3.2 实验部分 | 第57-61页 |
3.2.1 实验材料 | 第57-58页 |
3.2.2 实验仪器与操作 | 第58-59页 |
3.2.3 dif-TES-ADT单晶薄膜的制备 | 第59-60页 |
3.2.4 基于dif-TES-ADT单晶薄膜场效应晶体管的构筑与测试 | 第60-61页 |
3.3 结果与讨论 | 第61-78页 |
3.3.1 大面积dif-TES-ADT单晶薄膜的制备 | 第61-63页 |
3.3.2 聚合物分子量对dif-TES-ADT单晶薄膜性质的影响 | 第63-68页 |
3.3.3 聚合物浓度对dif-TES-ADT单晶薄膜性质的影响 | 第68-74页 |
3.3.4 混合溶剂比例对dif-TES-ADT单晶薄膜性质的影响 | 第74-75页 |
3.3.5 基于dif-TES-ADT单晶薄膜场效应晶体管的稳定性研究 | 第75-76页 |
3.3.6 基于dif-TES-ADT单晶薄膜柔性场效应晶体管的构筑与性能研究 | 第76-77页 |
3.3.7 水面拉涂制备大面积单晶薄膜的普适性研究 | 第77-78页 |
3.4 本章小结 | 第78页 |
参考文献 | 第78-82页 |
第四章 柔性基底上有机半导体单晶纳米带阵列场效应晶体管的构筑及其性能研究 | 第82-95页 |
4.1 引言 | 第82-83页 |
4.2 实验部分 | 第83-85页 |
4.2.1 实验材料 | 第83页 |
4.2.2 基底的清洗 | 第83-84页 |
4.2.3 石墨烯栅极的制备 | 第84页 |
4.2.4 阵列化的C10-BTBT单晶薄膜的生长及其场效应晶体管构筑 | 第84页 |
4.2.5 柔性基底上场效应晶体管的构筑与测试 | 第84-85页 |
4.3 结果与讨论 | 第85-91页 |
4.3.1 转移印刷法构筑柔性场效应晶体管的工艺流程图 | 第85-86页 |
4.3.2 印刷法构筑柔性器件的普适性研究 | 第86-87页 |
4.3.3 基于C10-BTBT单晶薄膜柔性场效应晶体管器件性能研究 | 第87-88页 |
4.3.4 其它柔性基底上所构筑的场效应晶体管器件性能研究 | 第88-89页 |
4.3.5 超薄基底上场效应晶体管的构筑以及弯曲稳定性研究 | 第89-90页 |
4.3.6 非传统基底上场效应晶体管的构筑以及器件性能研究 | 第90-91页 |
4.4 本章小结 | 第91-92页 |
参考文献 | 第92-95页 |
结论 | 第95-97页 |
攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第97-98页 |
致谢 | 第98页 |