| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 研究背景 | 第11-14页 |
| 1.3 石墨烯的主要应用 | 第14-15页 |
| 1.4 石墨烯的制备方法 | 第15-16页 |
| 1.4.1 微机械剥离法 | 第15页 |
| 1.4.2 氧化石墨还原法 | 第15-16页 |
| 1.4.3 外延生长法 | 第16页 |
| 1.4.4 化学气相沉积法 | 第16页 |
| 1.5 基于固态碳源CVD法制备石墨烯的研究现状 | 第16-18页 |
| 1.6 本文的主要工作与研究内容 | 第18-21页 |
| 第二章 实验设备及样品表征方法 | 第21-27页 |
| 2.1 化学气相沉积 | 第21-22页 |
| 2.1.1 化学气相沉积法 | 第21页 |
| 2.1.2 主要实验设备 | 第21-22页 |
| 2.2 磁控溅射 | 第22-24页 |
| 2.2.1 磁控溅射法 | 第22-23页 |
| 2.2.2 主要实验设备 | 第23-24页 |
| 2.3 样品表征方法 | 第24-26页 |
| 2.3.1 拉曼光谱仪 | 第24-25页 |
| 2.3.2 X射线衍射仪 | 第25页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜 | 第25页 |
| 2.3.4 透射电子显微镜 | 第25-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 基于固态碳源的Cu基石墨烯可控制备 | 第27-39页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 实验设备与试剂 | 第27-28页 |
| 3.3 样品的制备 | 第28-30页 |
| 3.4 结果与分析 | 第30-36页 |
| 3.4.1 碳源溶剂的选择 | 第30-31页 |
| 3.4.2 对拉曼光谱背景信号的说明 | 第31页 |
| 3.4.3 退火温度对石墨烯的影响 | 第31-33页 |
| 3.4.4 降温速率对石墨烯的影响 | 第33-35页 |
| 3.4.5 旋涂用量对石墨烯的影响 | 第35-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-39页 |
| 第四章 新型及辅助碳源的引入对石墨烯成膜质量的影响 | 第39-53页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 实验设备与试剂 | 第39-41页 |
| 4.3 样品的制备 | 第41-44页 |
| 4.3.1 新型碳源的引入 | 第41-43页 |
| 4.3.2 辅助碳源的引入 | 第43-44页 |
| 4.4 结果与分析 | 第44-51页 |
| 4.4.1 新型碳源对石墨烯成膜质量的影响 | 第44-45页 |
| 4.4.2 辅助碳源的引入对石墨烯成膜质量的影响 | 第45-47页 |
| 4.4.3 辅助碳源用量对石墨烯薄膜成膜质量的影响 | 第47-50页 |
| 4.4.4 优化工艺参数条件下制备的Cu基石墨烯 | 第50-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 石墨烯在目标基底上的直接生长 | 第53-69页 |
| 5.1 引言 | 第53页 |
| 5.2 石墨烯的转移 | 第53-56页 |
| 5.2.1 超声振荡 | 第53-54页 |
| 5.2.2 湿法转移 | 第54-55页 |
| 5.2.3 干法转移 | 第55-56页 |
| 5.3 实验设备与试剂 | 第56-57页 |
| 5.4 样品的制备 | 第57-59页 |
| 5.5 结果与分析 | 第59-68页 |
| 5.5.1 两种失败的直接生长石墨烯的方法 | 第59-60页 |
| 5.5.2 溅射质量对石墨烯的影响 | 第60-62页 |
| 5.5.3 碳源用量对石墨烯的影响 | 第62-64页 |
| 5.5.4 退火温度对石墨烯的影响 | 第64-65页 |
| 5.5.5 退火时间对石墨烯的影响 | 第65-67页 |
| 5.5.6 优化工艺参数条件下制备的任意基石墨烯 | 第67-68页 |
| 5.6 本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 6.1 本文工作总结 | 第69-70页 |
| 6.2 今后工作展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 攻读硕士期间取得的科研成果 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |