| 中文摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-15页 |
| 1.3 论文的主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 仿真计算的基本原理与方法 | 第16-28页 |
| 2.1 分子动力学 | 第16-21页 |
| 2.1.1 运动方程 | 第16页 |
| 2.1.2 数值积分算法 | 第16-18页 |
| 2.1.3 边界条件 | 第18-19页 |
| 2.1.4 势函数 | 第19页 |
| 2.1.5 系综 | 第19-20页 |
| 2.1.6 热力学性质计算 | 第20-21页 |
| 2.2 第一性原理 | 第21-25页 |
| 2.2.1 密度泛函理论 | 第21-23页 |
| 2.2.2 交换关联泛函 | 第23-24页 |
| 2.2.3 赝势 | 第24页 |
| 2.2.4 分子轨道的自洽求解 | 第24-25页 |
| 2.3 半导体隧穿电流 | 第25-26页 |
| 2.4 半导体C-V特性 | 第26-27页 |
| 2.5 仿真计算软件 | 第27页 |
| 2.6 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 电场对含空位缺陷硅和二氧化硅结构的影响 | 第28-50页 |
| 3.1 分子动力学模拟 | 第28-36页 |
| 3.1.1 硅结构的计算模型和计算方法 | 第28-29页 |
| 3.1.2 电场对含硅空位结构Si_v的影响 | 第29-32页 |
| 3.1.3 二氧化硅结构的计算模型和计算方法 | 第32页 |
| 3.1.4 电场对含氧空位二氧化硅结构SiO_(2-x)的影响 | 第32-35页 |
| 3.1.5 结论 | 第35-36页 |
| 3.2 第一性原理计算 | 第36-49页 |
| 3.2.1 硅结构中Si–H键长对结构性质的影响 | 第36-41页 |
| 3.2.2 硅结构中硅空位浓度对结构性质的影响 | 第41-46页 |
| 3.2.3 二氧化硅结构中氧空位浓度对结构性质的影响 | 第46-48页 |
| 3.2.4 结论 | 第48-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 电场对含空位缺陷硅/二氧化硅界面结构的影响 | 第50-69页 |
| 4.1 硅/二氧化硅界面 | 第50页 |
| 4.2 分子动力学模拟 | 第50-57页 |
| 4.2.1 含硅空位的硅/二氧化硅界面结构的计算模型与方法 | 第50-51页 |
| 4.2.2 电场对含硅空位缺陷二氧化硅晶体结构的影响 | 第51-53页 |
| 4.2.3 含氧空位的硅/二氧化硅界面结构的计算模型和方法 | 第53-54页 |
| 4.2.4 电场对含氧空位硅晶体结构的影响 | 第54-56页 |
| 4.2.5 结论 | 第56-57页 |
| 4.3 第一性原理计算 | 第57-68页 |
| 4.3.1 硅空位浓度对二氧化硅晶体结构的影响 | 第57-59页 |
| 4.3.2 氧空位浓度对硅晶体结构的影响 | 第59-64页 |
| 4.3.3 硅/二氧化硅界面结构中氧空位的位置和浓度对结构性质的影响 | 第64-68页 |
| 4.3.4 结论 | 第68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 5.1 研究总结 | 第69-70页 |
| 5.2 研究展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
