| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 引言 | 第11-29页 |
| 1.1 异质外延生长机制 | 第11-16页 |
| 1.1.1 异质外延生长过程 | 第12页 |
| 1.1.2 异质外延生长模式 | 第12-13页 |
| 1.1.3 SiGe体系的异质外延生长 | 第13-16页 |
| 1.2 锗硅纳米线生长方法 | 第16-19页 |
| 1.3 锗硅量子材料的有序生长 | 第19-25页 |
| 1.3.1 硅缓冲层的影响 | 第20页 |
| 1.3.2 图形几何形貌的影响 | 第20-22页 |
| 1.3.3 图形周期和温度的影响 | 第22-24页 |
| 1.3.4 应力诱导量子点的多层生长 | 第24-25页 |
| 1.4 锗硅量子材料在量子比特领域的应用 | 第25-27页 |
| 1.5 选题思路与论文结构 | 第27-29页 |
| 第2章 衬底制备以及材料生长与表征设备 | 第29-41页 |
| 2.1 衬底制备 | 第29-35页 |
| 2.1.1 电子束曝光 | 第29-30页 |
| 2.1.2 反应离子刻蚀 | 第30-33页 |
| 2.1.3 电感耦合等离子体反应离子刻蚀 | 第33-34页 |
| 2.1.4 图形衬底的制备流程 | 第34-35页 |
| 2.2 分子束外延 | 第35-38页 |
| 2.2.1 MBE联合系统简介 | 第36-37页 |
| 2.2.2 四族MBE系统简介 | 第37-38页 |
| 2.3 原子力显微镜 | 第38-41页 |
| 第3章 硅平衬底上锗纳米线的生长以及研究进展 | 第41-55页 |
| 3.1 引言 | 第41页 |
| 3.2 Ge纳米线生长过程 | 第41-43页 |
| 3.3 Ge纳米线单量子点器件 | 第43-46页 |
| 3.4 Ge纳米线单量子点与超导微波谐振腔的耦合 | 第46-48页 |
| 3.5 Ge纳米线空穴量子比特 | 第48-55页 |
| 第4章 深槽边缘锗纳米线的定位生长和表征 | 第55-85页 |
| 4.1 引言 | 第55-56页 |
| 4.2 Si图形衬底上凹槽边缘有序Ge纳米线的生长过程 | 第56-68页 |
| 4.2.1 Si缓冲层的生长 | 第56-58页 |
| 4.2.2 Ge对Si图形衬底上凹槽边缘的修饰作用 | 第58-59页 |
| 4.2.3 凹槽边缘SiGe mound的生长研究 | 第59-64页 |
| 4.2.4 凹槽边缘Ge纳米线的有序生长 | 第64-68页 |
| 4.3 Ge纳米线的生长机理 | 第68-70页 |
| 4.4 Ge纳米线单量子点器件 | 第70-73页 |
| 4.5 Ge纳米线双量子点的电容耦合 | 第73-75页 |
| 4.6 Ge纳米线生长的影响因素 | 第75-80页 |
| 4.6.1 SiGe层中Ge含量对Ge纳米线的影响 | 第75-76页 |
| 4.6.2 SiGe层厚度对Ge纳米线的影响 | 第76-77页 |
| 4.6.3 退火过程对Ge纳米线的影响 | 第77-79页 |
| 4.6.4 生长温度对Ge纳米线的影响 | 第79-80页 |
| 4.7 应力诱导的第二层Ge纳米线的生长 | 第80-83页 |
| 4.8 本章小结 | 第83-85页 |
| 第5章 浅槽内部锗硅纳米线的定位生长和表征 | 第85-101页 |
| 5.1 引言 | 第85页 |
| 5.2 Si(001)图形衬底的制备 | 第85-86页 |
| 5.3 凹槽内部GeSi纳米线的定位生长 | 第86-89页 |
| 5.3.1 Si缓冲层的生长 | 第87-88页 |
| 5.3.2 GeSi纳米线的生长过程 | 第88-89页 |
| 5.4 凹槽内部GeSi纳米线生长的影响因素 | 第89-94页 |
| 5.4.1 退火温度的影响 | 第89-90页 |
| 5.4.2 退火的影响 | 第90-91页 |
| 5.4.3 生长温度的影响 | 第91-92页 |
| 5.4.4 Ge含量的影响 | 第92-93页 |
| 5.4.5 图形周期的影响 | 第93-94页 |
| 5.5 凹槽内部GeSi纳米线的生长机理 | 第94-95页 |
| 5.6 凹槽内部GeSi纳米线的多层生长 | 第95-98页 |
| 5.6.1 第二层GeSi纳米线的有序生长 | 第95-97页 |
| 5.6.2 第三层Ge纳米线的有序生长 | 第97-98页 |
| 5.7 本章小结 | 第98-101页 |
| 第6章 总结与展望 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-115页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第115-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
