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新型含高硅低活化铁素体—马氏体钢辐照损伤研究

中文摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 概述第11-39页
    1.1 研究背景第11-18页
        1.1.1 简介第11-12页
        1.1.2 结构材料的辐照损伤第12-16页
        1.1.3 ADS候选结构材料第16-18页
    1.2 研究现状第18-32页
    1.3 不同粒子辐照实验之间的差异第32-33页
    1.4 本论文研究内容第33-35页
    参考文献第35-39页
第二章 辐照损伤理论基础第39-63页
    2.1 辐照损伤事件第39-40页
    2.2 移位损伤的计算第40-44页
        2.2.1 碰撞截面第40-41页
        2.2.2 晶格原子移位第41-44页
    2.3 缺陷的形成与扩散第44-46页
        2.3.1 缺陷的形成第44-46页
        2.3.2 点缺陷的扩散机制第46页
    2.4 孔洞形成与生长相关基础理论第46-62页
        2.4.1 缺陷反应速率方程第47-49页
        2.4.2 空洞形核与生长第49-53页
        2.4.3 气泡形核与生长第53-62页
    参考文献第62-63页
第三章 辐照实验及测试方法第63-74页
    3.1 辐照实验平台第63-66页
        3.1.1 320kV高电荷态离子综合研究平台第63-65页
        3.1.2 HIRFL-SFC/SSC高温应力辐照装置第65-66页
    3.2 辐照实验第66-69页
        3.2.1 样品制备第66-68页
        3.2.2 辐照实验参数第68-69页
    3.3 辐照后样品测试方法简介第69-73页
        3.3.1 透射电子显微镜(TEM)第69-71页
        3.3.2 慢正电子束-多普勒展宽谱(DBS)第71-72页
        3.3.3 背散射穆斯堡尔谱(CEMS)第72-73页
    参考文献第73-74页
第四章 辐照实验结果第74-88页
    4.1 500keVHe离子辐照NHS钢的实验结果第74-79页
        4.1.1 材料内部的移位损伤以及He原子的沉积分布第74-75页
        4.1.2 慢束正电子淹没-多普勒展宽谱(DBS)测试结果第75-76页
        4.1.3 透射电子显微镜(TEM)观测结果第76-78页
        4.1.4 室温辐照样品退火前后,He沉积峰值区透射电子显微镜(TEM)观测结果第78-79页
    4.2 196MeV Kr离子辐照三种铁素体/马氏体钢的实验结果第79-87页
        4.2.1 材料内部的移位损伤以及Kr原子的沉积分布第79页
        4.2.2 透射电子显微镜(TEM)观测结果第79-85页
        4.2.3 NHS钢在不同辐照温度下,CEMS的实验结果第85-86页
        4.2.4 NHS钢在不同辐照温度下,DBS的实验结果第86-87页
    参考文献第87-88页
第五章 实验结果讨论与分析第88-107页
    5.1 低能He离子在不同温度下注入NHS钢实验结果的讨论和分析第88-94页
        5.1.1 DBS结果分析第88-91页
        5.1.2 TEM结果分析第91-93页
        5.1.3 退火样品的TEM结果分析第93-94页
    5.2 高能Kr离子辐照三种钢(国产RAFM、T91、NHS钢)的结果分析与讨论第94-105页
        5.2.1 TEM观测结果的分析与讨论第94-102页
        5.2.2 不同温度下辐照NHS钢,CEMS结果的分析与讨论第102-103页
        5.2.3 不同温度下辐照NHS钢,DBS结果的分析与讨论第103-105页
    参考文献第105-107页
第六章 结论与展望第107-109页
附录第109-115页
    一、测试仪器相关简介第109-115页
        1. 透射电子显微镜(TEM)第109-112页
        2. 慢正电子束-多普勒展宽谱第112-114页
        3. 背散射穆斯堡尔谱(CEMS)第114-115页
在学期间的研究成果第115-116页
致谢第116页

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