摘要 | 第3-4页 |
ABSTRACT | 第4页 |
第一章 文献综述 | 第8-23页 |
1.1 中性笔及中性墨水概况 | 第8-15页 |
1.1.1 中性笔起源及其市场概况 | 第8-9页 |
1.1.2 中性笔的结构及组成 | 第9-10页 |
1.1.3 中性墨水的应用要求及主要性能指标 | 第10-14页 |
1.1.4 中性墨水的主要成分及其作用 | 第14-15页 |
1.2 中性墨水增稠体系研究进展 | 第15-19页 |
1.2.1 中性墨水增稠触变机理 | 第15-16页 |
1.2.2 中性墨水增稠体系的研究进展 | 第16-19页 |
1.3 卡波姆基增稠体系的研究进展 | 第19-21页 |
1.3.1 卡波姆简介 | 第19-20页 |
1.3.1.1 卡波姆的理化性质 | 第19页 |
1.3.1.2 卡波姆的增稠机理 | 第19-20页 |
1.3.2 卡波姆基增稠体系的研究现状 | 第20-21页 |
1.4 本课题研究意义及主要内容 | 第21-23页 |
第二章 纳米二氧化硅/卡波姆 956 增稠体系的流变学研究 | 第23-38页 |
2.1 概述 | 第23页 |
2.2 实验部分 | 第23-26页 |
2.2.1 实验原料及仪器 | 第23-24页 |
2.2.2 卡波姆基增稠体系的制备 | 第24-26页 |
2.2.3 性能表征 | 第26页 |
2.3 结果与讨论 | 第26-36页 |
2.3.1 纳米二氧化硅的表征 | 第26-27页 |
2.3.2 纳米二氧化硅/卡波姆增稠体系的动态粘弹特性 | 第27-28页 |
2.3.3 纳米二氧化硅/卡波姆增稠体系的剪切变稀特性 | 第28-30页 |
2.3.4 纳米二氧化硅/卡波姆 956 增稠体系的触变性 | 第30页 |
2.3.5 纳米二氧化硅与卡波姆 956 的相互作用方式 | 第30-32页 |
2.3.6 保湿剂对 FS/C 体系的黏度及假塑性影响 | 第32-35页 |
2.3.6.1 保湿剂的选择 | 第32-33页 |
2.3.6.2 保湿剂对 FS/C 体系的黏度及假塑性影响 | 第33-35页 |
2.3.7 低聚糖对 FS/C /S 体系的黏度及假塑性影响 | 第35-36页 |
2.4 本章总结 | 第36-38页 |
第三章 氧化聚乙烯蜡/卡波姆 956 增稠体系的流变学研究 | 第38-46页 |
3.1 概述 | 第38页 |
3.2 实验部分 | 第38-40页 |
3.2.1 实验原料及仪器 | 第38-39页 |
3.2.2 卡波姆基增稠体系的制备 | 第39-40页 |
3.2.3 性能表征 | 第40页 |
3.3 结果与讨论 | 第40-44页 |
3.3.1 正交试验因素及水平的选择 | 第40-42页 |
3.3.2 正交试验结果及分析 | 第42-44页 |
3.4 本章总结 | 第44-46页 |
第四章 卡波姆 956 增稠体系在中性墨水中的应用 | 第46-70页 |
4.1 概述 | 第46页 |
4.2 实验部分 | 第46-53页 |
4.2.1 实验原料及仪器 | 第46-53页 |
4.2.1.1 直接分散法炭黑色浆的制备 | 第48-50页 |
4.2.1.2 微胶囊化炭黑 ML 色浆的制备 | 第50-51页 |
4.2.1.3 中性墨水的制备 | 第51-52页 |
4.2.1.4 色浆分散情况及中性墨水性能表征 | 第52-53页 |
4.3 结果与讨论 | 第53-68页 |
4.3.1 直接分散法制备的 E1800 色浆 | 第53-55页 |
4.3.1.1 光学显微镜测试结果及分析 | 第53-54页 |
4.3.1.2 场发射透射电子显微镜测试结果及分析 | 第54-55页 |
4.3.2 直接分散法制备的 ML 色浆 | 第55-58页 |
4.3.2.1 光学显微镜测试结果及分析 | 第55-57页 |
4.3.2.2 场发射透射电子显微镜测试结果及分析 | 第57-58页 |
4.3.3 微胶囊化法制备的色浆 | 第58页 |
4.3.3.1 光学显微镜测试结果及分析 | 第58页 |
4.3.3.2 纳米粒度及 zeta 电位仪测试结果及分析 | 第58页 |
4.3.4 中性墨水性能参数及应用性能 | 第58-59页 |
4.3.5 中性墨水稳定性分析 | 第59-68页 |
4.3.5.1 中性墨水黏度随时间的变化关系 | 第59-60页 |
4.3.5.2 中性墨水颜料颗粒变化情况及结果分析 | 第60-68页 |
4.4 本章总结 | 第68-70页 |
第五章 结论 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-75页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第75-76页 |
附录 1 | 第76-79页 |
附录 2 | 第79-83页 |
致谢 | 第83页 |