| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 平板显示技术发展概述 | 第10-11页 |
| 1.2 薄膜晶体管的发展 | 第11-17页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管的发展历史 | 第11-15页 |
| 1.2.2 非晶氧化物薄膜晶体管 | 第15-17页 |
| 1.3 TFT在平板显示中的应用 | 第17-21页 |
| 1.3.1 典型TFT的性能 | 第17-19页 |
| 1.3.2 TFT在LCD中的应用 | 第19页 |
| 1.3.3 TFT在AMOLED中的应用 | 第19-21页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 薄膜晶体管工作原理及制备方法 | 第22-31页 |
| 2.1 薄膜晶体管的结构 | 第22-23页 |
| 2.2 薄膜晶体管的工作原理 | 第23-24页 |
| 2.3 薄膜晶体管性能参数 | 第24-26页 |
| 2.4 薄膜制备方法 | 第26-31页 |
| 2.4.1 溶胶凝胶法（Sol-gel） | 第26-28页 |
| 2.4.2 磁控溅射法 | 第28-31页 |
| 第三章 锌锡比对ZTO薄膜及ZTO-TFT的影响 | 第31-52页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 ZTO薄膜的制备 | 第31-35页 |
| 3.2.1 衬底的清洗 | 第31-32页 |
| 3.2.2 光刻工艺 | 第32-33页 |
| 3.2.3 剥离技术（lift-off） | 第33-34页 |
| 3.2.4 ZTO薄膜样品的制备 | 第34-35页 |
| 3.3 薄膜性能的表征 | 第35-37页 |
| 3.3.1 热重-差热（TG-DTA）分析 | 第35-36页 |
| 3.3.2 四探针电阻仪 | 第36-37页 |
| 3.4 不同锌锡比例下ZTO薄膜表征结果及分析 | 第37-42页 |
| 3.4.1 TG-DTA分析 | 第37-38页 |
| 3.4.2 XRD分析 | 第38-39页 |
| 3.4.3 薄膜表面形貌分析 | 第39-40页 |
| 3.4.4 光学特性分析 | 第40-42页 |
| 3.4.5 电阻率分析 | 第42页 |
| 3.5 ZTO-TFT的制备 | 第42-45页 |
| 3.5.1 器件结构及衬底准备 | 第42-43页 |
| 3.5.2 有源层ZTO薄膜的制备 | 第43-44页 |
| 3.5.3 源漏电极的制备 | 第44-45页 |
| 3.6 不同锌锡比对ZTO-TFT电学性能的影响 | 第45-51页 |
| 3.6.1 测试平台的准备 | 第45-47页 |
| 3.6.2 不同锌锡比对ZTO-TFT性能的影响 | 第47-51页 |
| 3.7 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 退火温度对ZTO薄膜及ZTO-TFT的影响 | 第52-58页 |
| 4.1 引言 | 第52页 |
| 4.2 实验部分 | 第52-53页 |
| 4.2.1 主要试剂与仪器 | 第52页 |
| 4.2.2 ZTO薄膜及器件样品的制备 | 第52-53页 |
| 4.3 不同退火温度下ZTO薄膜表征结果及分析 | 第53-54页 |
| 4.3.1 光学特性分析 | 第53页 |
| 4.3.2 XRD及SEM分析 | 第53-54页 |
| 4.4 不同退火温度对ZTO-TFT电学性能的影响 | 第54-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第64-65页 |