| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 射频LDMOS功率器件的简介 | 第9-11页 |
| 1.2 射频LDMOS器件的热载流子效应和温度效应 | 第11-13页 |
| 1.2.1 热载流子效应 | 第12页 |
| 1.2.2 温度效应 | 第12-13页 |
| 1.3 研究意义 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文的工作 | 第14-15页 |
| 第二章 射频LDMOS器件结构设计 | 第15-32页 |
| 2.1 射频LDMOS器件的直流特性参数 | 第16-27页 |
| 2.1.1 阈值电压 | 第16-20页 |
| 2.1.2 输出特性 | 第20-24页 |
| 2.1.3 击穿电压 | 第24-27页 |
| 2.2 射频LDMOS器件的高频特性 | 第27-30页 |
| 2.2.1 寄生电容 | 第27-29页 |
| 2.2.2 频率特性 | 第29页 |
| 2.2.3 提高器件频率特性的技术 | 第29-30页 |
| 2.3 实验器件测试结果 | 第30-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 射频LDMOS器件的热载流子效应 | 第32-48页 |
| 3.1 热载流子效应的介绍 | 第32-35页 |
| 3.1.1 MOSFET晶体管热载流子效应 | 第32-34页 |
| 3.1.2 热载流子注入效应的研究方法 | 第34-35页 |
| 3.2 LDMOS器件的热载流子注入效应 | 第35-36页 |
| 3.3 射频LDMOS热载流子注入效应的实验研究 | 第36-47页 |
| 3.3.1 LDMOS热载流子效应实验研究 | 第37-41页 |
| 3.3.2 器件结构和工艺的优化对热载流子效应的影响 | 第41-44页 |
| 3.3.3 LDMOS热载流子效应的 ΔRon研究模型 | 第44-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 射频LDMOS器件温度特性 | 第48-62页 |
| 4.1 温度应力实验设置 | 第49页 |
| 4.2 阈值电压的温度特性 | 第49-52页 |
| 4.2.1 MOSFET阈值电压的温度特性 | 第50页 |
| 4.2.2 LDMOS晶体管阈值电压的温度特性 | 第50-52页 |
| 4.2.3 不同栅长LDMOS阈值电压的温度特性 | 第52页 |
| 4.3 击穿电压的温度特性 | 第52-54页 |
| 4.3.1 LDMOS击穿电压的温度特性 | 第53-54页 |
| 4.3.2 不同LDD区长度器件击穿电压的温度特性 | 第54页 |
| 4.4 输出特性的温度特性 | 第54-56页 |
| 4.5 导通电阻的温度特性 | 第56-58页 |
| 4.6 晶体管跨导的温度特性 | 第58页 |
| 4.7 高频特性的温度特性 | 第58-61页 |
| 4.7.1 LDMOS频率特性的温度特性 | 第59-60页 |
| 4.7.2 不同栅长LDMOS频率特性的温度特性 | 第60-61页 |
| 4.8 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第68-69页 |
