摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第10-16页 |
1.1 研究背景 | 第10-11页 |
1.2 离子辐照GaN和SiC研究现状 | 第11-13页 |
1.2.1 离子辐照GaN的研究现状 | 第11-12页 |
1.2.2 离子辐照SiC的研究现状 | 第12-13页 |
1.3 论文的构思和内容 | 第13-16页 |
第2章 材料性质、基本理论与表征方法 | 第16-42页 |
2.1 GaN和SiC材料的结构和性质 | 第16-18页 |
2.2 离子与材料相互作用的基础理论 | 第18-26页 |
2.2.1 普通离子的能量沉积过程 | 第18-21页 |
2.2.2 高电荷态重离子的能量沉积过程 | 第21-24页 |
2.2.3 快重离子的能量沉积过程 | 第24-26页 |
2.3 表征手段 | 第26-42页 |
2.3.1 原子力显微镜 | 第26-27页 |
2.3.2 拉曼散射光谱学 | 第27-30页 |
2.3.3 扫描电子显微镜 | 第30-31页 |
2.3.4 傅立叶变换红外光谱学 | 第31-33页 |
2.3.5 光致发光光谱学 | 第33-36页 |
2.3.6 X射线光电子能谱 | 第36-37页 |
2.3.7 X射线衍射 | 第37-38页 |
2.3.8 透射电子显微镜 | 第38-40页 |
2.3.9 电子单丝拉伸仪 | 第40-42页 |
第3章 低速高电荷态重离子对GaN外延膜辐照效应研究 | 第42-60页 |
3.1 辐照实验 | 第42页 |
3.2 样品的分析表征 | 第42-58页 |
3.2.1 表面形貌分析 | 第42-45页 |
3.2.2 表面组分分析 | 第45-46页 |
3.2.3 发光性能分析 | 第46-53页 |
3.2.4 微结构和电学性能分析 | 第53-58页 |
3.3 本章小结 | 第58-60页 |
第4章 低速高电荷态重离子引起SiC单晶表面变形研究 | 第60-66页 |
4.1 辐照实验 | 第60页 |
4.2 样品表面形貌分析 | 第60-62页 |
4.3 表面变形的机理及理论模型建立 | 第62-64页 |
4.4 本章小结 | 第64-66页 |
第5章 快重离子对GaN外延膜辐照效应研究 | 第66-82页 |
5.1 辐照实验 | 第66-67页 |
5.2 样品的分析表征 | 第67-80页 |
5.2.1 表面形貌和组分分析 | 第67-71页 |
5.2.2 微结构分析 | 第71-73页 |
5.2.3 电学性能分析 | 第73-78页 |
5.2.4 发光性能分析 | 第78-80页 |
5.3 本章小结 | 第80-82页 |
第6章 快重离子对SiC纤维辐照效应研究 | 第82-92页 |
6.1 辐照实验 | 第82页 |
6.2 样品的分析表征 | 第82-91页 |
6.2.1 SiC纤维的微结构分析 | 第83-87页 |
6.2.2 SiC纤维的表面组分和形貌分析 | 第87-89页 |
6.2.3 纤维的力学性能分析(单丝拉伸测量) | 第89-91页 |
6.3 本章小结 | 第91-92页 |
第7章 结论与展望 | 第92-94页 |
7.1 结论 | 第92-93页 |
7.2 展望 | 第93-94页 |
参考文献 | 第94-104页 |
致谢 | 第104-106页 |
作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第106-107页 |