| 摘要 | 第9-11页 |
| ABSTRACT | 第11-13页 |
| 符号说明 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-28页 |
| 1.1 引言 | 第15-16页 |
| 1.2 磁控溅射技术 | 第16-21页 |
| 1.2.1 磁控溅射技术原理 | 第17-18页 |
| 1.2.2 磁控溅射技术应用 | 第18-19页 |
| 1.2.3 磁控溅射技术的分类 | 第19-21页 |
| 1.3 SiC与SiAlON研究现状 | 第21-26页 |
| 1.3.1 SiC研究进展 | 第21-24页 |
| 1.3.2 SiAlON研究进展 | 第24-26页 |
| 1.4 选题意义及研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 薄膜制备及性能表征 | 第28-39页 |
| 2.1 硬质涂层镀膜设备 | 第28-30页 |
| 2.2 薄膜的制备 | 第30-31页 |
| 2.2.1 衬底清洗 | 第30页 |
| 2.2.2 样品制备 | 第30-31页 |
| 2.3 表征方法及原理 | 第31-39页 |
| 2.3.1 薄膜厚度 | 第31-32页 |
| 2.3.2 薄膜形貌特性 | 第32-34页 |
| 2.3.3 薄膜成分分析 | 第34-35页 |
| 2.3.4 薄膜结构特性 | 第35-36页 |
| 2.3.5 薄膜力学性能 | 第36-39页 |
| 第三章 SiC单层膜的制备及性能研究 | 第39-50页 |
| 3.1 射频磁控溅射制备SiC薄膜 | 第39-43页 |
| 3.1.1 实验设计 | 第39-40页 |
| 3.1.2 薄膜硬度 | 第40-41页 |
| 3.1.3 薄膜附着力 | 第41-42页 |
| 3.1.4 薄膜结构 | 第42-43页 |
| 3.1.5 薄膜形貌 | 第43页 |
| 3.2 直流脉冲磁控溅射制备SiC薄膜 | 第43-48页 |
| 3.2.1 实验设计 | 第44页 |
| 3.2.2 薄膜硬度 | 第44-45页 |
| 3.2.3 薄膜附着力 | 第45-47页 |
| 3.2.4 薄膜结构 | 第47-48页 |
| 3.2.5 薄膜形貌 | 第48页 |
| 3.3 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 SiAlON/SiC复合膜的制备及性能研究 | 第50-61页 |
| 4.1 不同氧分压对SiAlON薄膜性能的影响 | 第50-54页 |
| 4.1.1 实验设计 | 第50-51页 |
| 4.1.2 不同氧分压对薄膜硬度特性的影响 | 第51-52页 |
| 4.1.3 不同氧分压对薄膜附着力的影响 | 第52-53页 |
| 4.1.4 不同氧分压对薄膜结构特性的影响 | 第53-54页 |
| 4.1.5 不同氧分压对薄膜形貌特性的影响 | 第54页 |
| 4.2 SiAlON/SiC复合膜的制备 | 第54-59页 |
| 4.2.1 实验设计 | 第54-56页 |
| 4.2.2 SiAlON缓冲层厚度对SiAlON/SiC复合膜硬度的影响 | 第56-57页 |
| 4.2.3 SiAlON缓冲层厚度对SiAlON/SiC复合膜附着力的影响 | 第57-58页 |
| 4.2.4 SiAlON缓冲层厚度对SiAlON/SiC复合膜结构的影响 | 第58-59页 |
| 4.2.5 SiAlON缓冲层厚度对SiAlON/SiC复合膜表面形貌的影响 | 第59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 结论与展望 | 第61-64页 |
| 5.1 主要创新点 | 第61页 |
| 5.2 结论 | 第61-62页 |
| 5.3 展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第72-73页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第73页 |
