| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 1 绪论 | 第10-28页 |
| ·半导体气敏传感器 | 第10-14页 |
| ·半导体气敏传感器的概述 | 第10页 |
| ·半导体气敏传感器的工作原理 | 第10-12页 |
| ·半导体气敏传感器的的现状与发展 | 第12-14页 |
| ·纳米ZnO气敏传感器的研究概况 | 第14-15页 |
| ·ZnO半导体的结构和性质 | 第14页 |
| ·ZnO半导体的能带结构 | 第14-15页 |
| ·纳米ZnO气敏传感器 | 第15-16页 |
| ·一维纳米ZnO气敏机理 | 第15-16页 |
| ·纳米ZnO基气敏传感器阵列的研究现状 | 第16页 |
| ·电子鼻技术的出现与发展趋势 | 第16-21页 |
| ·电子鼻理论的概述 | 第16-18页 |
| ·气敏传感器阵列 | 第18-19页 |
| ·输出信号的预处理 | 第19-20页 |
| ·气体模式识别 | 第20-21页 |
| ·人工神经网络 | 第21-26页 |
| ·人工神经网络的基本原理 | 第21-22页 |
| ·人工神经网络的主要结构 | 第22-23页 |
| ·神经网络的主要特征 | 第23-24页 |
| ·BP神经网络模型 | 第24-26页 |
| ·本工作的目的、意义及研究内容 | 第26-28页 |
| ·本工作的目的与意义 | 第26-27页 |
| ·本工作的主要内容 | 第27-28页 |
| 2 实验过程 | 第28-37页 |
| ·实验主要技术路线及方案 | 第28-29页 |
| ·实验主要技术路线 | 第28-29页 |
| ·实验方案 | 第29页 |
| ·气敏元件的制备及表征 | 第29-31页 |
| ·纯ZnO纳米线的制备 | 第29-30页 |
| ·Ag、Al、Ni掺杂ZnO纳米线的制备 | 第30页 |
| ·纳米ZnO气敏元件的制备 | 第30-31页 |
| ·纳米ZnO气敏元件的测试原理及测试设备 | 第31-33页 |
| ·纳米ZnO气敏元件的测试原理 | 第31-32页 |
| ·气敏元件的测试设备及主要技术参数 | 第32-33页 |
| ·纳米ZnO气敏元件的测试 | 第33-37页 |
| ·纳米ZnO气敏元件的测试方法 | 第33-34页 |
| ·纳米ZnO气敏元件的主要特性参数 | 第34-37页 |
| 3 实验结果与分析 | 第37-52页 |
| ·纳米ZnO基材料的表征 | 第37-43页 |
| ·纳米ZnO基材料的SEM分析 | 第37-39页 |
| ·纳米ZnO基材料的TEM分析 | 第39-40页 |
| ·纳米ZnO基材料的XRD分析 | 第40-43页 |
| ·纳米ZnO基气敏元件对气体的测试结果 | 第43-49页 |
| ·纳米ZnO基气敏元件对CO气体的测试结果 | 第43页 |
| ·纳米ZnO基气敏元件对H_2气体的测试结果 | 第43-44页 |
| ·纳米ZnO基气敏元件对CH_4气体的测试结果 | 第44-45页 |
| ·CO与H_2浓度比为1:1时的测试结果 | 第45-46页 |
| ·CO与H_2浓度比为2:1时的测试结果 | 第46页 |
| ·CO、H_2、CH_4浓度比为2:1:1时的测试结果 | 第46-47页 |
| ·CO、H_2、CH_4浓度比为1:1:2时的测试结果 | 第47-48页 |
| ·测试结果分析 | 第48-49页 |
| ·纳米ZnO基材料敏感机理的初步分析 | 第49-52页 |
| 4 气敏传感器阵列的构建与BP神经网络的设计 | 第52-57页 |
| ·纳米ZnO基气敏传感器阵列的构建 | 第52页 |
| ·BP神经网络 | 第52-57页 |
| ·BP神经网络结构 | 第52-53页 |
| ·BP神经网络的训练规则 | 第53-55页 |
| ·BP神经网络的测试规则 | 第55页 |
| ·BP神经网络的设计 | 第55-57页 |
| 5 基于BP神经网络的气体识别 | 第57-61页 |
| ·对目标混合气体种类的识别研究 | 第57-59页 |
| ·神经网络的训练 | 第57-58页 |
| ·气体种类的识别 | 第58-59页 |
| ·混合气体各组分相对浓度高低的识别 | 第59-61页 |
| ·BP神经网络的训练 | 第59-60页 |
| ·相对浓度高低的识别结果 | 第60-61页 |
| 6 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |