| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第8-10页 |
| 1.2 国内外研究现状分析 | 第10-13页 |
| 1.2.1 基于SiC功率器件的固态直流断路器研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.2 目前存在的主要问题 | 第13页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第13-16页 |
| 2 基于PSPice的SiC MOSFET优化建模 | 第16-30页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 SiC MOSFET的结构参数与建模方法 | 第16-18页 |
| 2.2.1 SiC MOSFET的结构及其关键参数 | 第16-17页 |
| 2.2.2 SiC MOSFET的建模方法 | 第17-18页 |
| 2.3 SiC MOSFET的建模 | 第18-24页 |
| 2.3.1 内核MOSFET建模 | 第18-21页 |
| 2.3.2 寄生电容建模 | 第21-23页 |
| 2.3.3 体二极管建模 | 第23-24页 |
| 2.4 模型的仿真与实验验证 | 第24-28页 |
| 2.4.1 SiC MOSFET静态特性验证 | 第24-25页 |
| 2.4.2 SiC MOSFET动态特性验证 | 第25-28页 |
| 2.5 小结 | 第28-30页 |
| 3 SiC MOSFET应用于固态直流断路器关键技术研究 | 第30-56页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 SiC MOSFET的开关特性及驱动电路要求 | 第30-44页 |
| 3.2.1 SiC MOSFET的开关过程 | 第30-33页 |
| 3.2.2 不同驱动参数对SiC MOSFET开关特性的影响 | 第33-43页 |
| 3.2.3 SiC MOSFET对驱动电路的要求 | 第43-44页 |
| 3.3 固态直流断路关断过电压尖峰产生机理及抑制方法研究 | 第44-55页 |
| 3.3.1 基于SiC MOSFET的固态直流断路器结构及仿真模型 | 第44-45页 |
| 3.3.2 固态直流断路关断过程及过电压尖峰产生机理 | 第45-48页 |
| 3.3.3 寄生电感对固态直流断路关断电压尖峰的影响 | 第48-49页 |
| 3.3.4 固态直流断路关断初期电压尖峰的抑制方法 | 第49-55页 |
| 3.4 直流电流检测方法 | 第55页 |
| 3.5 小结 | 第55-56页 |
| 4 基于SiC MOSFET的固态直流断路器的仿真与实验 | 第56-78页 |
| 4.1 引言 | 第56-57页 |
| 4.2 基于SiC MOSFET的固态直流断路器的设计与仿真 | 第57-70页 |
| 4.2.1 驱动电路的设计与仿真 | 第57-58页 |
| 4.2.2 控制电路的设计与仿真 | 第58-61页 |
| 4.2.3 电流检测电路的设计与仿真 | 第61-63页 |
| 4.2.4 缓冲吸收电路的设计 | 第63-64页 |
| 4.2.5 主电路设计的设计与仿真 | 第64-65页 |
| 4.2.6 基于SiC MOSFET的固态直流断路器的仿真 | 第65-70页 |
| 4.3 基于SiC MOSFET的固态直流断路器的样机制作与实验测试 | 第70-76页 |
| 4.3.1 基于SiC MOSFET的固态直流断路器样机制作 | 第70-71页 |
| 4.3.2 固态断路器系统性能测试及分析 | 第71-76页 |
| 4.4 小结 | 第76-78页 |
| 5 结论与展望 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-86页 |
| 附录 | 第86页 |
| A. 攻读硕士学位期间发表的论文及参加的科研项目 | 第86页 |
| A.1 发表的学术论文 | 第86页 |
| A.2 参加的科研项目 | 第86页 |
