| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第10-16页 |
| 1.3 课题的研究内容 | 第16-17页 |
| 1.4 立题依据 | 第17-18页 |
| 第2章 实验材料与方法 | 第18-22页 |
| 2.1 实验所用试剂及仪器 | 第18-19页 |
| 2.1.1 试剂 | 第18页 |
| 2.1.2 仪器设备 | 第18-19页 |
| 2.2 实验方法 | 第19-22页 |
| 2.2.1 光学显微镜的分析 | 第19页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜分析 | 第19-20页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜分析 | 第20页 |
| 2.2.4 X 射线衍射 | 第20页 |
| 2.2.5 拉曼及荧光光谱测试 | 第20页 |
| 2.2.6 电学性能测试 | 第20-21页 |
| 2.2.7 光电性能测试 | 第21-22页 |
| 第3章 二维碲化镓半导体的制备及表征 | 第22-33页 |
| 3.1 二维碲化镓的制备 | 第22页 |
| 3.2 碲化镓材料的表征 | 第22-31页 |
| 3.2.1 碲化镓的结构 | 第22-27页 |
| 3.2.2 薄层碲化镓的形貌 | 第27-29页 |
| 3.2.3 碲化镓的拉曼及 PL 表征 | 第29-31页 |
| 3.3 本章小结 | 第31-33页 |
| 第4章 二维碲化镓半导体的电学性能研究 | 第33-45页 |
| 4.1 二维碲化镓场效应晶体管的构筑 | 第33-34页 |
| 4.2 碲化镓场效应晶体管的电学性能测试 | 第34-43页 |
| 4.2.1 常温下碲化镓的 FET 性能 | 第34-37页 |
| 4.2.2 不同温度下碲化镓的 FET 性能 | 第37-38页 |
| 4.2.3 碲化镓 FET 的载流子传输机制 | 第38-43页 |
| 4.3 本章小结 | 第43-45页 |
| 第5章 二维碲化镓的光学性能研究 | 第45-60页 |
| 5.1 碲化镓光探测器的构筑 | 第46-47页 |
| 5.2 碲化镓光学性能测试 | 第47-59页 |
| 5.2.1 以 SiO_2/Si 为基底的碲化镓光电器件性能测试 | 第47-55页 |
| 5.2.2 以 PET 为基底的碲化镓光电器件性能测试 | 第55-59页 |
| 5.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-69页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及申请专利 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71页 |