摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5页 |
第一章 绪论 | 第12-25页 |
1.1 刀具材料概述 | 第12-13页 |
1.2 涂层刀具研究现状 | 第13-18页 |
1.2.1 涂层刀具的种类 | 第13-14页 |
1.2.2 涂层刀具的制备方法 | 第14-16页 |
1.2.3 涂层刀具的性能特点 | 第16-17页 |
1.2.4 涂层刀具的发展及应用现状 | 第17-18页 |
1.3 Ti-Si-C涂层 | 第18-24页 |
1.3.1 Ti-Si-C体系 | 第18-22页 |
1.3.2 Ti-Si-C涂层的制备方法 | 第22-24页 |
1.4 本课题研究意义及内容 | 第24-25页 |
第二章 Ti-Si-C涂层的溅射模拟 | 第25-38页 |
2.1 引言 | 第25页 |
2.2 射频磁控溅射原理 | 第25-27页 |
2.2.1 辉光放电过程 | 第25-26页 |
2.2.2 射频磁控溅射 | 第26-27页 |
2.3 靶材溅射模拟 | 第27-36页 |
2.3.1 溅射理论及模拟方法 | 第27-28页 |
2.3.2 模拟软件 | 第28-31页 |
2.3.3 模拟结果及分析 | 第31-36页 |
2.4 本章小结 | 第36-38页 |
第三章 Ti-Si-C涂层刀具制备工艺研究 | 第38-55页 |
3.1 引言 | 第38页 |
3.2 实验材料及设备 | 第38-39页 |
3.2.1 基体试样 | 第38页 |
3.2.2 溅射电源 | 第38页 |
3.2.3 磁控溅射设备 | 第38-39页 |
3.3 Ti-Si-C涂层制备流程及检测方法 | 第39-41页 |
3.3.1 Ti-Si-C涂层的制备流程 | 第39-40页 |
3.3.2 涂层检测评价方法 | 第40-41页 |
3.4 工艺参数对Ti-Si-C涂层的影响 | 第41-52页 |
3.4.1 靶材溅射功率对Ti-Si-C涂层的影响 | 第41-44页 |
3.4.2 沉积温度对Ti-Si-C涂层的影响 | 第44-47页 |
3.4.3 工作气压对Ti-Si-C涂层的影响 | 第47-50页 |
3.4.4 氩气流量对Ti-Si-C涂层的影响 | 第50-52页 |
3.5 Ti-Si-C涂层刀具的制备 | 第52-53页 |
3.6 本章小结 | 第53-55页 |
第四章 Ti-Si-C涂层刀具的切削实验研究 | 第55-66页 |
4.1 引言 | 第55页 |
4.2 切削实验条件及方法 | 第55-58页 |
4.2.1 切削材料 | 第55页 |
4.2.2 切削方式 | 第55-56页 |
4.2.3 切削力与切削温度的测量 | 第56-57页 |
4.2.4 机床及刀具 | 第57-58页 |
4.2.5 切削用量选择 | 第58页 |
4.3 实验结果与讨论 | 第58-64页 |
4.3.1 切削力 | 第58-61页 |
4.3.2 切削温度 | 第61-62页 |
4.3.3 刀具磨损 | 第62-63页 |
4.3.4 切屑形态 | 第63-64页 |
4.4 本章小结 | 第64-66页 |
第五章 总结与展望 | 第66-69页 |
5.1 总结 | 第66-67页 |
5.2 展望 | 第67-69页 |
参考文献 | 第69-74页 |
致谢 | 第74-75页 |
在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第75页 |