摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第14-26页 |
1.1 引言 | 第14-15页 |
1.2 形状记忆高分子 | 第15-20页 |
1.2.1 形状记忆高分子概述 | 第15页 |
1.2.2 形状记忆高分子的形状记忆机理 | 第15-18页 |
1.2.3 形状记忆高分子的应用 | 第18-20页 |
1.3 聚氨酯形状记忆材料国内外研究现状 | 第20-24页 |
1.3.1 聚氨酯形状记忆材料 | 第20-23页 |
1.3.2 聚氨酯基复合形状记忆材料 | 第23-24页 |
1.3.3 发展趋势 | 第24页 |
1.4 本论文研究目的、意义、内容和创新性 | 第24-26页 |
1.4.1 本论文研究目的与意义 | 第24页 |
1.4.2 本论文研究内容 | 第24-25页 |
1.4.3 本论文的创新性 | 第25-26页 |
第二章 聚氨酯形状记忆材料的制备 | 第26-45页 |
2.1 引言 | 第26页 |
2.2 实验部分 | 第26-28页 |
2.2.1 实验药品及仪器 | 第26-27页 |
2.2.2 实验方法 | 第27-28页 |
2.3 性能测试与表征 | 第28-31页 |
2.3.1 异氰酸根含量的滴定 | 第28-29页 |
2.3.2 傅立叶变换红外光谱 | 第29页 |
2.3.3 力学性能测试 | 第29页 |
2.3.4 老化试验测试 | 第29页 |
2.3.5 形状记忆测试 | 第29-30页 |
2.3.6 扫描电子显微镜 | 第30页 |
2.3.7 热稳定性分析 | 第30页 |
2.3.8 广角X射线衍射分析 | 第30-31页 |
2.4 结果与讨论 | 第31-43页 |
2.4.1 聚氨酯预聚体反应时间的研究 | 第31页 |
2.4.2 PBAG分子量对聚氨酯性能的影响 | 第31-33页 |
2.4.3 异氰酸酯的种类对聚氨酯性能的影响 | 第33-34页 |
2.4.4 扩链剂的种类对聚氨酯性能的影响 | 第34-35页 |
2.4.5 不同摩尔配比对形状记忆聚氨酯性能的影响 | 第35-37页 |
2.4.6 样品红外表征 | 第37页 |
2.4.7 差示扫描分析 | 第37-38页 |
2.4.8 耐热性能分析 | 第38-39页 |
2.4.9 广角X射线衍射分析 | 第39-40页 |
2.4.10 断面形貌分析 | 第40-41页 |
2.4.11 温度对形状记忆性能的影响 | 第41-42页 |
2.4.12 弯折次数对形状记忆性能的影响 | 第42页 |
2.4.13 紫外和热老化对聚氨酯性能的影响 | 第42-43页 |
2.5 本章小结 | 第43-45页 |
第三章 有机硅改性聚氨酯形状记忆材料的制备与研究 | 第45-63页 |
3.1 引言 | 第45页 |
3.2 实验部分 | 第45-46页 |
3.2.1 实验药品及仪器 | 第45页 |
3.2.2 实验方法 | 第45-46页 |
3.3 性能测试与表征 | 第46页 |
3.3.1 表面接触角测试 | 第46页 |
3.4 结果与讨论 | 第46-62页 |
3.4.1 聚氨酯/有机硅的性能 | 第46-53页 |
3.4.2 样品红外表征 | 第53-54页 |
3.4.3 表面接触角测试 | 第54-55页 |
3.4.4 聚氨酯/有机硅的热重分析 | 第55-56页 |
3.4.5 聚氨酯/有机硅的结晶性能 | 第56页 |
3.4.6 有机硅改性聚氨酯的断面形貌分析 | 第56-58页 |
3.4.7 聚氨酯/有机硅的循环稳定性 | 第58-59页 |
3.4.8 聚氨酯/有机硅的耐老化性能 | 第59-62页 |
3.5 本章小结 | 第62-63页 |
第四章 形状记忆聚氨酯复合材料的制备与研究 | 第63-75页 |
4.1 引言 | 第63页 |
4.2 实验部分 | 第63-64页 |
4.2.1 实验药品及仪器 | 第63页 |
4.2.2 实验方法 | 第63-64页 |
4.3 性能测试与表征 | 第64页 |
4.4 结果与讨论 | 第64-73页 |
4.4.1 复合材料的力学性能 | 第64-66页 |
4.4.2 复合材料的形状记忆性能 | 第66-67页 |
4.4.3 复合材料的热重分析 | 第67-68页 |
4.4.4 复合材料的结晶性能 | 第68页 |
4.4.5 复合材料的断面形貌分析 | 第68-69页 |
4.4.6 复合材料的循环稳定性 | 第69-70页 |
4.4.7 复合材料的耐老化性能 | 第70-73页 |
4.5 本章小结 | 第73-75页 |
结论 | 第75-77页 |
参考文献 | 第77-84页 |
攻读学位期间发表的论文 | 第84-86页 |
致谢 | 第86页 |