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氧缺陷对Ti掺杂的CoO的磁性与电子结构的影响:第一性原理计算

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第8-20页
    1.1 自旋电子学第8-9页
    1.2 巨磁阻效应第9-12页
        1.2.1 自旋阀第10-11页
        1.2.2 磁性隧道结第11-12页
        1.2.3 半导体自旋电子学第12页
    1.3 稀磁半导体第12-18页
        1.3.1 半导体简介第12-13页
        1.3.2 稀磁半导体简介第13-14页
        1.3.3 稀磁半导体的获得方式第14-17页
        1.3.4 稀磁半导体的制备工艺第17-18页
    1.4 研究意义及目的第18-20页
第二章 计算方法第20-26页
    2.1 理论依据第20-23页
        2.1.1 第一性原理第20页
        2.1.2 密度泛函理论第20-22页
        2.1.3 局域态密度近似第22-23页
    2.2 计算软件及过程第23-26页
        2.2.1 Material Studio第23页
        2.2.2 VASP第23-25页
        2.2.3 Origin第25页
        2.2.4 VESTA第25-26页
第三章 前期研究综述第26-29页
    3.1 CoO的磁性和电子结构第26-27页
    3.2 CoTiO的磁性和电子结构第27-29页
第四章 单个氧缺陷对的CoTiO的磁性和电子结构第29-35页
    4.1 Co_(14)Ti_2O_(15)的能带结构与态密度第29-32页
    4.2 Co_(14)Ti_2O_(15)的自旋与电荷转移第32-33页
    4.3 本章小结第33-35页
第五章 两个氧缺陷的CoTiO的磁性和电子结构第35-41页
    5.1 Co_(14)Ti_2O_(14)的能带结构与态密度第35-38页
    5.2 Co_(14)Ti_2O_(14)的自旋与电荷转移第38-40页
    5.3 本章小结第40-41页
第六章 结论第41-43页
参考文献第43-47页
发表论文和科研情况第47-48页
致谢第48-49页

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