摘要 | 第5-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-19页 |
1.1 课题研究目的和意义 | 第11-13页 |
1.2 发展历程与研究现状 | 第13-17页 |
1.2.1 抗EMI滤波器简介与性能指标 | 第13-14页 |
1.2.2 抗EMI器件的发展与现状 | 第14-16页 |
1.2.3 抗EMI材料的发展与现状 | 第16-17页 |
1.2.4 薄膜型EMI滤波器的优势 | 第17页 |
1.3 论文各部分主要内容 | 第17-19页 |
第二章 基本理论和薄膜的制备表征方法 | 第19-36页 |
2.1 高频软磁薄膜的基础理论 | 第19-24页 |
2.1.1 磁化强度的进动方程 | 第19-20页 |
2.1.2 复数磁导率和磁谱 | 第20-22页 |
2.1.3 高频软磁薄膜的磁损耗 | 第22-24页 |
2.1.3.1 磁滞损耗 | 第22页 |
2.1.3.2 涡流损耗 | 第22-23页 |
2.1.3.3 剩余损耗 | 第23-24页 |
2.2 薄膜的制备方法 | 第24-29页 |
2.2.1 物质的溅射现象 | 第24-25页 |
2.2.2 常用溅射方法 | 第25-27页 |
2.2.3 薄膜的制备设备 | 第27-29页 |
2.3 薄膜的表征方法 | 第29-35页 |
2.3.1 高频复数磁导率的测量 | 第29-32页 |
2.3.2 薄膜静态磁性能的测试 | 第32-33页 |
2.3.3 XRD测试 | 第33-34页 |
2.3.4 薄膜方块电阻的测试 | 第34-35页 |
2.4 本章小结 | 第35-36页 |
第三章 CoNbZr薄膜的性能调控 | 第36-56页 |
3.1 引言 | 第36-37页 |
3.2 厚度对CoNbZr薄膜性能的影响 | 第37-42页 |
3.2.1 溅射时间对膜厚和方阻的影响 | 第37-38页 |
3.2.2 不同厚度薄膜的XRD图谱分析 | 第38-39页 |
3.2.3 厚度对薄膜静态磁性能的影响 | 第39-41页 |
3.2.4 厚度对薄膜动态磁性能的影响 | 第41-42页 |
3.3 溅射功率对CoNbZr薄膜性能的影响 | 第42-47页 |
3.3.1 不同溅射功率的XRD图谱分析 | 第43-44页 |
3.3.2 功率对薄膜静态磁性能的影响 | 第44-46页 |
3.3.3 功率对薄膜动态磁性能的影响 | 第46-47页 |
3.4 溅射气压对CoNbZr薄膜性能的影响 | 第47-50页 |
3.4.1 不同气压下薄膜的XRD图谱 | 第47-48页 |
3.4.2 气压对薄膜静态磁性能的影响 | 第48-50页 |
3.4.3 气压对薄膜动态磁性能的影响 | 第50页 |
3.5 倾斜溅射对CoNbZr薄膜性能的调控 | 第50-55页 |
3.5.1 不同倾斜角下CoNbZr薄膜的XRD图谱 | 第51-52页 |
3.5.2 倾斜角对CoNbZr薄膜静态磁性能的影响 | 第52-53页 |
3.5.3 倾斜角对CoNbZr薄膜动态磁性能的影响 | 第53-55页 |
3.6 本章小结 | 第55-56页 |
第四章 GHz磁芯集成滤波器的设计与制作 | 第56-72页 |
4.1 薄膜抗EMI滤波器的抑制机理 | 第56-57页 |
4.1.1 铁磁共振损耗 | 第56-57页 |
4.1.2 涡流损耗 | 第57页 |
4.1.3 L-C谐振损耗 | 第57页 |
4.2 滤波器磁芯薄膜的铁磁共振测试 | 第57-59页 |
4.3 共面波导的设计和制作 | 第59-64页 |
4.3.1 共面波导尺寸设计 | 第59-61页 |
4.3.2 共面波导的制作和测试 | 第61-64页 |
4.3.2.1 铜电镀工艺 | 第61-62页 |
4.3.2.2 共面波导制作工艺流程 | 第62-63页 |
4.3.2.3 共面波导的测试 | 第63-64页 |
4.4 GHz磁芯集成滤波器的设计和制作 | 第64-70页 |
4.4.1 器件模型仿真设计 | 第64-66页 |
4.4.2 掩膜版设计 | 第66-67页 |
4.4.3 器件加工工艺 | 第67-69页 |
4.4.4 器件初步测试 | 第69-70页 |
4.5 本章小结 | 第70-72页 |
第五章 结论与展望 | 第72-74页 |
5.1 全文总结 | 第72-73页 |
5.2 不足和后续展望 | 第73-74页 |
致谢 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-80页 |
攻读硕士学位期间的研究成果 | 第80-81页 |