| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 SrTiO_3的基本性质 | 第11-13页 |
| 1.3 SrTiO_3表面和界面导电层的研究 | 第13-14页 |
| 1.4 SrTiO_3的光电流现象研究 | 第14-16页 |
| 1.5 本课题研究意义 | 第16-18页 |
| 1.6 本章小结 | 第18-19页 |
| 第二章 实验方法与实验原理 | 第19-40页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 SrTiO_3表面导电层制备 | 第19-24页 |
| 2.2.1 光刻技术 | 第20-21页 |
| 2.2.2 Ar~+轰击技术 | 第21-24页 |
| 2.2.3 电子束蒸发技术 | 第24页 |
| 2.3 原子力显微镜(AFM) | 第24-26页 |
| 2.4 电流-电压（I-V）测试 | 第26-29页 |
| 2.5 霍尔测试 | 第29-32页 |
| 2.6 场效应测试 | 第32-33页 |
| 2.7 光电流 | 第33-39页 |
| 2.7.1 本征光电导与杂质光电导 | 第33-36页 |
| 2.7.2 光电流测试 | 第36-38页 |
| 2.7.3 光电流的衰减 | 第38-39页 |
| 2.8 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 Ar~+轰击SrTiO_3晶体表面形成的导电层及输运性质 | 第40-49页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 Ar~+轰击SrTiO_3晶体表面形成的表面导电层 | 第40-43页 |
| 3.3 Ar~+轰击SrTiO_3晶体表面的输运性质 | 第43-45页 |
| 3.3.1 Ar~+轰击的SrTiO_3导电层的面电阻（Sheet resistance） | 第43-44页 |
| 3.3.2 Ar~+轰击的SrTiO_3导电层的迁移率 | 第44-45页 |
| 3.4 Ar~+轰击的SrTiO_3导电层的场效应测试 | 第45-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 Ar~+轰击SrTiO_3晶体表面导电层的光电流衰减特性与缺陷特征 | 第49-67页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 SrTiO_3晶体表面导电层的光电流与光强度的关系 | 第49-51页 |
| 4.3 SrTiO_3晶体表面导电层的光电流的响应特性 | 第51-52页 |
| 4.4 SrTiO_3晶体表面导电层的光电流的衰减特性的定性分析 | 第52-57页 |
| 4.4.1 半导性SrTiO_3晶体表面导电层的衰减特性 | 第53-55页 |
| 4.4.2 金属性SrTiO_3晶体表面导电层的衰减特性 | 第55-57页 |
| 4.5 SrTiO_3晶体表面导电层的光电流的衰减特性的定量分析 | 第57-62页 |
| 4.5.1 亚禁带光激发光电流模型 | 第57-59页 |
| 4.5.2 光电流衰减曲线分析提取SrTiO_3导电层的陷阱分布 | 第59-62页 |
| 4.6 金属性SrTiO_3导电层光电流的背栅调制效应 | 第62-65页 |
| 4.6.1 持续光电流特性 | 第62-63页 |
| 4.6.2 背栅调制特性 | 第63-65页 |
| 4.7 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 全文总结 | 第67-69页 |
| 5.1 总结 | 第67页 |
| 5.2 展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第76-77页 |
