| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第12-36页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第12-15页 |
| 1.2 相关领域的研究现状 | 第15-34页 |
| 1.3 本论文研究内容 | 第34-36页 |
| 第2章 MOCVD外延技术和表征测试手段 | 第36-62页 |
| 2.1 引言 | 第36-37页 |
| 2.2 MOCVD外延技术 | 第37-42页 |
| 2.3 金属纳米颗粒的制备 | 第42-44页 |
| 2.4 材料表征技术 | 第44-54页 |
| 2.5 器件性能测试技术 | 第54-60页 |
| 2.6 本章小结 | 第60-62页 |
| 第3章 InGaN材料的MOCVD生长 | 第62-78页 |
| 3.1 引言 | 第62-64页 |
| 3.2 高质量GaN的MOCVD生长 | 第64-68页 |
| 3.3 InGaN量子阱的MOCVD生长 | 第68-76页 |
| 3.4 本章小结 | 第76-78页 |
| 第4章 金属薄膜的离激元共振特性调控 | 第78-98页 |
| 4.1 引言 | 第78-81页 |
| 4.2 金属纳米颗粒的表面等离激元共振波长调控 | 第81-94页 |
| 4.3 表面等离激元与InGaN探测器的耦合 | 第94-96页 |
| 4.4 本章小结 | 第96-98页 |
| 第5章 表面等离激元增强InGaN探测器性能的研究 | 第98-108页 |
| 5.1 引言 | 第98-99页 |
| 5.2 等离激元增强MSM结构探测器研制 | 第99-107页 |
| 5.3 本章小结 | 第107-108页 |
| 第6章 结论与展望 | 第108-112页 |
| 6.1 结论 | 第108-110页 |
| 6.2 研究展望 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-128页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第128-130页 |
| 指导教师及作者简介 | 第130-132页 |
| 致谢 | 第132-133页 |