| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 量子点材料的研究意义及背景 | 第11-14页 |
| 1.2 量子点材料及器件的研究进展 | 第14-25页 |
| 1.2.1 量子点材料的研究进展 | 第14-15页 |
| 1.2.2 量子点器件的研究进展 | 第15-20页 |
| 1.2.3 量子点的发展瓶颈与机遇 | 第20-25页 |
| 1.3 本论文的主要内容 | 第25-27页 |
| 第2章 量子点的外延生长理论 | 第27-36页 |
| 2.1 量子点的自组织生长模式 | 第27-29页 |
| 2.2 生长参数对量子点的形貌及发光特性的影响 | 第29-35页 |
| 2.2.1 沉积量 | 第29-31页 |
| 2.2.2 生长温度 | 第31-32页 |
| 2.2.3 生长速率 | 第32-33页 |
| 2.2.4 生长中断(GRI) | 第33-34页 |
| 2.2.5Ⅴ/Ⅲ比 | 第34-35页 |
| 2.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 双尺寸分布In Ga As/Ga As量子点的MOCVD外延制备 | 第36-61页 |
| 3.1 MOCVD(AIXTRON 200-4)外延系统介绍 | 第36-39页 |
| 3.2 外延片的表征技术 | 第39-46页 |
| 3.3 双尺寸分布In Ga As/Ga As量子点的生长工艺 | 第46-49页 |
| 3.4 双尺寸分布In Ga As/Ga As量子点的表征结果及分析 | 第49-51页 |
| 3.5 双尺寸分布量子点器件的外延结构设计 | 第51-59页 |
| 3.6 本章小结 | 第59-61页 |
| 第4章 器件制备工艺流程 | 第61-78页 |
| 4.1 外延片清洗 | 第61-63页 |
| 4.2 生长掩膜层 | 第63-64页 |
| 4.3 光刻工艺 | 第64-67页 |
| 4.4 刻蚀工艺 | 第67-72页 |
| 4.5 欧姆接触 | 第72-74页 |
| 4.6 腔面膜 | 第74-76页 |
| 4.7 半导体器件的基本工艺流程 | 第76-77页 |
| 4.8 本章小结 | 第77-78页 |
| 第5章 双尺寸分布量子点材料的器件化应用 | 第78-105页 |
| 5.1 超辐射发光二极管 | 第78-87页 |
| 5.1.1 研究背景 | 第78-82页 |
| 5.1.2 器件测试结果及分析 | 第82-87页 |
| 5.2 双波长量子点激光器 | 第87-104页 |
| 5.2.1 研究背景 | 第87-88页 |
| 5.2.2 器件测试结果及分析 | 第88-93页 |
| 5.2.3 差频THz波研究简介 | 第93-104页 |
| 5.3 本章小结 | 第104-105页 |
| 第6章 总结与展望 | 第105-108页 |
| 6.1 全文总结 | 第105-106页 |
| 6.2 后续研究展望 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-119页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第119-120页 |
| 指导教师及作者简介 | 第120-121页 |
| 致谢 | 第121页 |
