| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第12-40页 |
| 1.1 红外探测器的发展 | 第12-14页 |
| 1.2 短波红外探测 | 第14-26页 |
| 1.3 延伸波长InGaAs材料生长中存在的问题及研究进展 | 第26-33页 |
| 1.4 半导体材料失配异质结的微观结构研究及其进展 | 第33-38页 |
| 1.5 本论文的选题依据及研究内容 | 第38-40页 |
| 第2章 MOCVD外延与表征分析技术 | 第40-72页 |
| 2.1 In GaAs、GaAs和InP材料的参数 | 第40-52页 |
| 2.2 MOCVD外延技术 | 第52-59页 |
| 2.3 In GaAs材料的表征技术 | 第59-70页 |
| 2.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 第3章 高In组分InGaAs材料的两步生长法制备及其表征 | 第72-86页 |
| 3.1 GaAs衬底上高In组分InGaAs的两步生长法外延 | 第73-74页 |
| 3.2 不同厚度低温缓冲层下的失配应力释放研究 | 第74-85页 |
| 3.3 本章小结 | 第85-86页 |
| 第4章 低温缓冲层异质结界面位错与应力释放研究 | 第86-100页 |
| 4.1 异质结界面位错与失配应力的释放 | 第87-97页 |
| 4.2 低温缓冲层的作用机理 | 第97-99页 |
| 4.3 本章小结 | 第99-100页 |
| 第5章 高In组分InGaAs异质结能带结构研究 | 第100-114页 |
| 5.1 In_0.82Ga_0.18As/InP失配异质结带阶结构的XPS测定 | 第102-108页 |
| 5.2 失配应力对带阶的影响以及带阶的理论探讨 | 第108-113页 |
| 5.3 本章小结 | 第113-114页 |
| 第6章 结论与展望 | 第114-118页 |
| 6.1 结论 | 第114-116页 |
| 6.2 研究展望 | 第116-118页 |
| 参考文献 | 第118-136页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第136-138页 |
| 指导教师及作者简介 | 第138-140页 |
| 致谢 | 第140-141页 |
