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基于Nand Flash的大容量存储装置的设计与研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
1 绪论第9-17页
   ·课题研究的目的及意义第9-10页
   ·国内外研究现状第10-15页
     ·硬盘存储技术的发展现状第10-11页
     ·固态存储技术的发展现状第11-14页
     ·高速存储装置的国内外现状第14-15页
   ·本文的内容及结构安排第15-17页
2 系统设计和方案设计第17-22页
   ·系统组成部分第17页
   ·技术指标第17-18页
   ·总体方案设计第18-21页
     ·设计原则第18页
     ·器件选择第18-20页
     ·系统原理框图第20-21页
   ·本章小结第21-22页
3 硬件电路的设计与系统工作原理第22-32页
   ·高速 PCB 效应第22-24页
   ·电源部分第24-25页
   ·LVDS 接收部分第25-27页
   ·隔离电路第27页
   ·FPGA 外围电路第27-29页
   ·存储阵列模块第29-31页
     ·存储容量的扩展第29页
     ·存储速度的提高第29-30页
     ·存储阵列模型的构建第30-31页
   ·本章小结第31-32页
4 Flash 高速传输与可靠性研究第32-52页
   ·DMA 传输第32-35页
     ·FIFO 数据缓存容量以及系统存储速度计算第34-35页
   ·BCH 码纠错第35-41页
   ·均衡损耗第41-46页
     ·动态均衡损耗第44-45页
     ·静态均衡损耗算法第45-46页
   ·坏块管理第46-51页
     ·坏块识别第47-48页
     ·坏块替换第48-49页
     ·并行存储坏块编码设计第49-50页
     ·坏块策略优化设计第50-51页
   ·本章小结第51-52页
5 系统功能测试与可靠性分析第52-58页
   ·测试系统概述第52页
   ·系统功能测试第52-57页
     ·坏块管理测试第52-54页
     ·数据测试分析第54-57页
   ·本章小结第57-58页
6 总结与展望第58-60页
   ·论文工作总结第58页
   ·展望第58-60页
参考文献第60-63页
攻读硕士学位期间发表的论文及所取得的研究成果第63-64页
致谢第64-65页

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