| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 一、绪论 | 第10-26页 |
| 1、快恢复型二极管 | 第10-15页 |
| ·从 P-N 结到 P-I-N 结 | 第10-11页 |
| ·P-I-N 二极管反向恢复过程 | 第11-13页 |
| ·P-I-N 二极管的快恢复与软恢复 | 第13页 |
| ·P-I-N 快恢复二极管优化技术与发展现状 | 第13-14页 |
| ·二极管的模拟仿真和设计研制 | 第14-15页 |
| 2. 碳化硅材料参数 | 第15-24页 |
| ·引言 | 第15-16页 |
| ·禁带宽度 | 第16-17页 |
| ·本征载流子浓度 | 第17-19页 |
| ·低场电子迁移率 | 第19-21页 |
| ·非完全离化 | 第21-22页 |
| ·禁带窄化效应 | 第22-23页 |
| ·SRH 复合与载流子寿命 | 第23-24页 |
| 3. 本文研究内容与意义 | 第24页 |
| ·研究内容 | 第24页 |
| ·研究意义 | 第24页 |
| 4. 本文工作安排 | 第24-26页 |
| 二、4H-SiC P~+-N~-(P~-)-N~+二极管的正向恢复特性 | 第26-44页 |
| 1. 引言 | 第26-27页 |
| 2. 4H-SiC P~+-N~--N~+二极管的模型设计及工作原理 | 第27-31页 |
| ·4H-SiC P~+-N~--N~+二极管正向恢复过程 | 第27-28页 |
| ·4H-SiC P~+-N~--N~+二极管正向恢复物理模型 | 第28-31页 |
| 3. 4H-SiC P~+-N~-(P~-)-N~+二极管正向恢复特性模拟结果与分析 | 第31-38页 |
| ·4H-SiC P~+-N~-(P~-)-N~+二极管正向恢复电压曲线图 | 第31-33页 |
| ·基区载流子寿命对 4H-SiC P~+-N~-(P~-)-N~+二极管正向恢复电压的影响 | 第33页 |
| ·基区载流子迁移率对 4H-SiC P~+-N~-(P~-)-N~+二极管正向恢复电压的影响 | 第33-34页 |
| ·基区掺杂浓度对 4H-SiC P~+-N~-(P~-)-N~+二极管正向恢复电压的影响 | 第34-35页 |
| ·基区宽度对 4H-SiC P~+-N~-(P~-)-N~+二极管正向恢复电压的影响 | 第35-36页 |
| ·温度对 4H-SiC P~+-N~-(P~-)-N~+二极管正向恢复电压的影响 | 第36-37页 |
| ·电流上升速率对 4H-SiC P~+-N~-(P~-)-N~+二极管正向恢复电压的影响 | 第37-38页 |
| 4. 4H-SiC P~+-N~--N~+二极管正向恢复损耗 | 第38-43页 |
| ·4H-SiC P~+-N~--N~+二极管正向恢复损耗模型 | 第38-39页 |
| ·基区载流子寿命对 4H-SiC P~+-N~--N~+二极管正向恢复损耗的影响 | 第39页 |
| ·基区载流子迁移率对 4H-SiC P~+-N~--N~+二极管正向恢复损耗的影响 | 第39页 |
| ·基区掺杂浓度对 4H-SiC P~+-N~--N~+二极管正向恢复损耗的影响 | 第39-40页 |
| ·基区宽度对 4H-SiC P~+-N~--N~+二极管正向恢复损耗的影响 | 第40-41页 |
| ·温度对 4H-SiC P~+-N~--N~+二极管正向恢复损耗的影响 | 第41-42页 |
| ·电流上升速率对 4H-SiC P~+-N~--N~+二极管正向恢复损耗的影响 | 第42页 |
| ·开关频率对 4H-SiC P~+-N~--N~+二极管正向恢复损耗的影响 | 第42-43页 |
| 5.小结 | 第43-44页 |
| 三、4H-SiC P~+-P~--N~+二极管正向电流-电压特性研究 | 第44-54页 |
| 1、引言 | 第44-45页 |
| 2、器件参数设计与物理模型 | 第45页 |
| 3、4H-SiC P~+-P~--N~+二极管的正向 J-V 方程 | 第45-49页 |
| ·半导体基本方程 | 第45-47页 |
| ·4H-SiC P~-I-N 二极管电流 | 第47-48页 |
| ·4H-SiC P~-I-N 二极管电压 | 第48页 |
| ·4H-SiC P~-I-N 二极管的正向导通电阻 | 第48-49页 |
| 4、结果与讨论 | 第49-53页 |
| ·4H-SiC P~+-P~--N~+二极管正向基区载流子分布瞬态 | 第49-50页 |
| ·4H-SiC P~+-P~--N~+二极管正向基区电阻分布 | 第50-51页 |
| ·基区掺杂浓度对 4H-SiC P~+-P~--N~+二极管正向导通特性的影响 | 第51页 |
| ·基区宽度对 4H-SiC P~+-P~--N~+二极管正向导通特性的影响 | 第51-52页 |
| ·基区迁移率对 4H-SiC P~+-P~--N~+二极管正向导通特性的影响 | 第52-53页 |
| ·基区寿命对 4H-SiC P~+-P~--N~+二极管正向导通特性的影响 | 第53页 |
| 5、本章小结 | 第53-54页 |
| 四、4H-SiC P~+-N~-(P~-)-N~+二极管线性反向恢复特性 | 第54-62页 |
| 1. 引言 | 第54页 |
| 2. 4H-SiC P~+-N~--N~+二极管反向恢复过程与模型 | 第54-56页 |
| ·4H-SiC P~+-N~--N~+二极管反向恢复过程 | 第54-55页 |
| ·4H-SiC P~+-N~--N~+二极管反向恢复模型 | 第55-56页 |
| 3. 4H-SiC P~+-N~-(P~-)-N~+二极管反向恢复特性模拟结果与分析 | 第56-60页 |
| ·4H-SiC P~+-N~-(P~-)-N~+二极管反向恢复曲线图 | 第56-57页 |
| ·基区载流子寿命对 4H-SiC P~+-N~-(P~-)-N~+二极管反向恢复电流的影响 | 第57页 |
| ·基区载流子迁移率对 4H-SiC P~+-N~-(P~-)-N~+二极管反向恢复电流的影响 | 第57-58页 |
| ·基区掺杂浓度对 4H-SiC P~+-N~-(P~-)-N~+二极管反向恢复电流的影响 | 第58-59页 |
| ·基区宽度对 4H-SiC P~+-N~-(P~-)-N~+二极管正向恢复电压的影响 | 第59页 |
| ·温度对 4H-SiC P~+-N~-(P~-)-N~+二极管正向恢复电压的影响 | 第59-60页 |
| ·电流下降速率对 4H-SiC P~+-N~-(P~-)-N~+二极管反向恢复电流的影响 | 第60页 |
| 4. 本章小结 | 第60-62页 |
| 五、总结与展望 | 第62-64页 |
| 1、总结 | 第62-63页 |
| 2、展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 附录 A | 第70-74页 |
| A-1、4H-SiC p~+-n~--n~+二极管正向恢复模拟程序 | 第70页 |
| A-2、4H-SiC p~+-p~--n~+二极管正向恢复模拟程序 | 第70-71页 |
| A-3、4H-SiC p~+-p~--n~+二极管正向导通模拟程序 | 第71-73页 |
| A-4、4H-SiC p~+-p~--n~+二极管反向恢复模拟程序 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第76页 |
