| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-12页 |
| ·研究背景与意义 | 第9-11页 |
| ·论文的组织与结构 | 第11-12页 |
| 2 实验仪器和测试仪器简介 | 第12-24页 |
| ·AlGaN-MOCVD 系统 | 第12-15页 |
| ·结构测试仪器 | 第15-19页 |
| ·光学测试仪器 | 第19-20页 |
| ·电学测试仪器 | 第20-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 3 生长参数计算和材料参数的提取 | 第24-35页 |
| ·MO 源摩尔流量的计算 | 第24-25页 |
| ·硅烷摩尔量的计算 | 第25-26页 |
| ·AlGaN 材料Al 组分的计算 | 第26-29页 |
| ·AlGaN 材料的厚度的计算 | 第29-31页 |
| ·Si-AlGaN 掺杂浓度的计算 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 4 Si-AlGaN 生长的前期准备 | 第35-49页 |
| ·AlN 模板介绍 | 第35-37页 |
| ·AlN/AlGaN 超晶格的生长 | 第37-40页 |
| ·GaN 的n 型掺杂的研究 | 第40-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 5 高Al 组分n 型AlGaN 材料的实现 | 第49-67页 |
| ·Al 组分（0.3~0.4）的Si-Al_xGa_(1-x)N 的生长 | 第50-54页 |
| ·Al 组分（0.4~0.65）的Si-Al_xGa_(1-x)N 的生长 | 第54-58页 |
| ·In-Si 共掺杂技术初步研究 | 第58-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 6 总结与展望 | 第67-69页 |
| ·本实验工作总结 | 第67-68页 |
| ·实验展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-77页 |
| 附录1 攻读学位期间发表论文目录 | 第77页 |