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高精度低温漂CMOS基准源的设计与比较

摘要第1-4页
Abstract第4-7页
第一章 绪论第7-13页
   ·基准电压源的研究背景及意义第7页
   ·带隙基准源的技术背景第7-11页
     ·基准源的性能指标第7-9页
     ·基准源的发展历史以及研究现状第9-11页
   ·本文的主要工作及论文结构第11-13页
第二章 基准电压源的理论分析第13-25页
   ·基准电压源的分类第13-15页
   ·几种高阶温度补偿方法第15-20页
     ·高阶温度补偿的必要性第15-16页
     ·高阶温度补偿方法第16-20页
   ·基准源中的非理想因素第20-23页
     ·运放的输入失调电压的影响第20-21页
     ·电阻失配的影响第21页
     ·电流镜失调的影响第21-22页
     ·双极型晶体管的影响第22页
     ·封装应力的影响第22-23页
   ·本章小结第23-25页
第三章 电压模带隙基准源的设计第25-43页
   ·电压模带隙基准源的设计第25-34页
     ·电压模带隙基准源电路设计第25-29页
     ·基准源的整体电路第29-30页
     ·带隙基准电路的整体仿真第30-34页
   ·基准电压源电路的版图设计第34-42页
     ·版图设计概述第34-39页
     ·耦合效应第39-40页
     ·寄生参数优化设计第40页
     ·基准源各模块的版图设计第40-41页
     ·基准电压源电路整体版图的设计第41-42页
   ·本章小结第42-43页
第四章 低压电流模基准电压源的设计第43-53页
   ·电流型基准源基本原理第43-44页
   ·低压电流型基准电压源的设计第44-52页
     ·低压基准电压源各模块电路的设计第45-49页
     ·低压电流型基准源的整体电路第49-50页
     ·低压电流型基准源的整体仿真第50-52页
   ·本章小结第52-53页
第五章 低功耗基准电压源的设计第53-67页
   ·工作在亚阈值区的 MOSFET 模型第53-57页
     ·MOSFET 的物理结构第53页
     ·MOSFET 的阈值电压第53-54页
     ·MOSFET 的电特性第54-56页
     ·亚阈值 MOSFET 栅源电压的温度特性第56-57页
   ·亚阈值电流模基准电路模型第57-61页
     ·亚阈值电流模基准源整体电路模型第57-58页
     ·电路各部分功能模块说明第58-61页
   ·亚阈值基准电路的整体电路仿真与优化第61-65页
     ·整体电路仿真第61-64页
     ·温度曲率补偿第64-65页
   ·本章小结第65-67页
第六章 总结与展望第67-69页
致谢第69-71页
参考文献第71-75页
科研和成果第75-76页

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