特征尺寸对NMOS器件的总剂量辐照特性影响研究

摘要	第1-6页
Abstract	第6-10页
第一章 绪论	第10-15页
·辐射环境和辐射效应	第10-12页
·辐射环境	第10-11页
·辐射效应	第11-12页
·国内外现状	第12-13页
·本课题研究意义及研究内容	第13-15页
第二章 总剂量辐射效应的基本理论	第15-22页
·MOS 结构的电荷和陷阱	第15-16页
·MOS 器件的总剂量辐射效应	第16-18页
·辐射感生电荷的形成与性质	第16-18页
·辐照导致的 MOS 器件的特性变化	第18页
·影响 MOS 器件总剂量效应的因素	第18-20页
·提高器件抗总剂量能力的方法	第20-21页
·本章小结	第21-22页
第三章 MOS 器件总剂量电离辐射实验	第22-40页
·电实验样品和实验条件	第22-25页
·实验样品	第22-23页
·辐射的实验条件	第23-24页
·测试	第24-25页
·实验结果和分析	第25-39页
·特征尺寸对器件总剂量电离辐照效应的影响	第25-35页
·不同栅结构的器件的总剂量辐射实验结果	第35-39页
·本章小结	第39-40页
第四章 MOS 器件总剂量效应的仿真研究	第40-50页
·ISE 仿真模型及器件结构	第40-46页
·ISE 仿真模型	第40-42页
·ISE 仿真流程	第42页
·器件结构	第42-46页
·仿真实验结果	第46-49页
·栅氧化层对器件 NMOS 器件总剂量效应的影响	第46-48页
·场氧化层对器件 NMOS 器件总剂量效应的影响	第48-49页
·本章小结	第49-50页
总结与展望	第50-52页
参考文献	第52-56页
攻读硕士学位期间取得的研究成果	第56-57页
致谢	第57-58页
附件	第58页