| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·研究背景 | 第7-8页 |
| ·研究目的与意义 | 第8页 |
| ·论文结构 | 第8-11页 |
| 第二章 电子元器件电应力损伤机理及表征方法 | 第11-23页 |
| ·常见的电应力类型及损伤 | 第11页 |
| ·静电放电损伤及敏感结构 | 第11-18页 |
| ·静电放电模型及损伤特点 | 第12-15页 |
| ·静电放电失效模式与机理 | 第15-17页 |
| ·电子元器件静电放电损伤敏感结构 | 第17-18页 |
| ·电过应力的产生及损伤 | 第18-19页 |
| ·电应力损伤的测试与表征 | 第19-23页 |
| ·常见的测试表征方法 | 第19-21页 |
| ·电应力损伤的低频噪声表征 | 第21-23页 |
| 第三章 基于Si材料的金-半结构SBD静电放电损伤研究 | 第23-37页 |
| ·SBD的静电放电试验 | 第23-25页 |
| ·静电放电试验样品 | 第23页 |
| ·SBD静电放电试验方案及测试系统 | 第23-25页 |
| ·静电放电对SBD电学特性的影响 | 第25-29页 |
| ·SBD的电学特性 | 第25-26页 |
| ·SBD静电放电试验结果 | 第26-27页 |
| ·SBD电学特性退化分析 | 第27-29页 |
| ·静电放电对SBD噪声的影响 | 第29-35页 |
| ·SBD静电放电试验结果 | 第29-30页 |
| ·SBD噪声特性退化分析 | 第30-33页 |
| ·SBD静电放电损伤的噪声表征参量及模型 | 第33-35页 |
| ·小结 | 第35-37页 |
| 第四章 基于GaAs材料场效应管的射频微波器件低频噪声测试研究 | 第37-57页 |
| ·射频微波器件样品 | 第37-38页 |
| ·低频噪声测试方案 | 第38-39页 |
| ·射频开关的低频噪声测试方案 | 第38页 |
| ·微波低噪声放大器的低频噪声测试方案 | 第38-39页 |
| ·低频噪声测试结果与分析 | 第39-53页 |
| ·射频开关的低频噪声测试结果与分析 | 第39-50页 |
| ·微波低噪声放大器的低频噪声测试结果与分析 | 第50-53页 |
| ·低频噪声灵敏表征参量选取 | 第53-54页 |
| ·小结 | 第54-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| ·主要研究工作总结 | 第57-58页 |
| ·展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 研究生在读期间研究成果 | 第67页 |