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VHF-PECVD技术沉积高生长率微晶硅薄膜及薄膜的稳定性研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
第1章 绪论第11-24页
 1-1 研究背景第11-14页
  1-1-1 太阳能光伏产业的发展意义第11-12页
  1-1-2 太阳能光伏发电产业现状第12-13页
  1-1-3 太阳能光伏技术发展背景第13-14页
 1-2 微晶硅太阳能电池的研究意义第14-18页
  1-2-1 硅薄膜太阳能电池第14-15页
  1-2-2 微晶硅薄膜太阳能电池第15-17页
  1-2-3 高速沉积微晶硅的意义第17-18页
 1-3 微晶硅薄膜高速沉积及微晶硅电池的研究现状第18-23页
 1-4 本论文组织结构第23-24页
第二章 微晶硅材料及其电池的物理基础、沉积技术及特性表征方法第24-59页
 2-1 微晶硅材料及微晶硅电池第24-28页
  2-1-1 微晶硅材料第24-26页
  2-1-2 微晶硅太阳能电池第26-28页
 2-2 硅薄膜沉积技术概述第28-40页
  2-2-1 等离子体第28-30页
  2-2-2 Townsend 理论第30-31页
  2-2-3 等离子体的交流放电过程第31-32页
  2-2-4 等离子体生成方法第32-35页
  2-2-5 PECVD 原理第35页
  2-2-6 PECVD 法制备硅薄膜第35-37页
  2-2-7 微晶硅薄膜的生长机理第37-40页
 2-3 实验基础第40-41页
  2-3-1 实验设备第40-41页
  2-3-2 实验耗材第41页
 2-4 测试手段及特性表征第41-58页
  2-4-1 薄膜厚度的测量第41-44页
  2-4-2 电学特性的测试第44-46页
  2-4-3 吸收谱第46-49页
  2-4-4 结构特性测试第49-53页
  2-4-5 电池性能表征和测试手段第53-57页
  2-4-6 等离子体光谱测试第57-58页
 2-5 小结第58-59页
第三章 影响微晶硅薄膜材料高速沉积的因素第59-74页
 3-1 微晶硅沉积速率影响因素第59-72页
  3-1-1 压力对微晶硅沉积速率的影响第59-61页
  3-1-2 辉光功率对微晶硅沉积速率的影响第61-64页
  3-1-3 硅烷浓度(SC)对微晶硅沉积速率的影响第64-66页
  3-1-4 电极间距影响微晶硅生长速率的过程分析第66-68页
  3-1-5 衬底温度对微晶硅生长速率的影响第68-70页
  3-1-6 反应气体总流量对微晶硅生长速率的影响第70-71页
  3-1-7 微晶硅薄膜高速沉积的实现第71-72页
 3-2 小结—影响微晶硅高速沉积的因素第72-74页
第四章 影响微晶硅薄膜特性的因素第74-91页
 4-1 气压对高速沉积的微晶硅薄膜性能的影响第74-76页
 4-2 电极间距对高速微晶硅薄膜性能的影响第76-78页
 4-3 衬底温度对高速微晶硅薄膜性能的影响第78-80页
 4-4 辉光功率对高速微晶硅薄膜性能的影响第80-82页
 4-5 气体流量对高速微晶硅薄膜质量的影响第82-86页
 4-6 优质微晶硅薄膜的高速沉积第86-89页
 4-7 小结第89-91页
第五章 高速沉积微晶硅材料特性的影响第91-101页
 5-1 沉积速率对微晶硅薄膜光电特性的影响第91-93页
 5-2 沉积速率对微晶硅薄膜纵向微结构的影响第93-95页
 5-3 沉积速率对微晶硅材料结晶取向及晶粒尺寸的影响第95-98页
 5-4 沉积速率对微晶硅薄膜致密性的影响第98页
 5-5 沉积速率对微晶硅薄膜表面形貌的影响第98-100页
 5-6 小结第100-101页
第六章 微晶硅材料光衰退第101-107页
 6-1 样品制备及材料初始性能第101-102页
 6-2 光敏性实验第102-104页
 6-3 光衰退实验第104-105页
 6-4 退火实验第105-106页
 6-5 小结第106-107页
第七章 总结和展望第107-109页
 7-1 总结第107-108页
 7-2 展望第108页
 7-3 创新第108-109页
致谢第109-110页
攻读学位期间所取得的相关科研成果第110-111页
参考文献第111-119页

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