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反射式体全息存储与显示技术的研究

摘要第1-4页
Abstract第4-9页
第1章 绪论第9-16页
   ·课题背景第9-10页
   ·光学体全息存储的研究进展第10-13页
     ·国外体全息存储技术的研究状况第11-12页
     ·国内体全息存储技术的现状与发展第12-13页
   ·全息三维显示技术的研究进展第13-14页
     ·国外全息三维显示技术的研究状况第13-14页
     ·国内全息三维显示技术的研究状况第14页
   ·本文研究的主要内容第14-16页
第2章 反射式体全息存储系统的整体设计第16-31页
   ·体全息存储技术的基本原理及特性第16-21页
     ·体全息存储的基本物理过程及耦合波理论第16-20页
     ·光折变效应第20页
     ·体全息存储的优点第20-21页
   ·反射式体全息存储系统的设计与构建第21-29页
     ·透射式和反射式体全息存储系统的比较第21-23页
     ·系统光路第23-24页
     ·系统各部分的光路设计第24-25页
     ·系统核心器件的选择第25-27页
     ·系统的工作流程第27-29页
   ·反射式体全息存储实验结果及分析第29-30页
     ·实现晶体单位体积内2000 幅全息图像的存储第29-30页
     ·存储图像的时效性第30页
   ·本章小结第30-31页
第3章 反射式体全息存储控制系统的构建第31-41页
   ·体全息存储复用技术第31-32页
   ·体全息存储复用技术的改进第32-35页
     ·传统的角度寻址方案第32-33页
     ·双透镜共焦法第33-34页
     ·位移台全闭环系统第34-35页
   ·反射式体存储系统软件控制的实现第35-39页
     ·位移台软件控制设计第36-38页
     ·快门控制设计第38-39页
   ·体全息存储复用精度分析第39-40页
     ·开环控制系统定位精度第39页
     ·全闭环与开环控制系统定位精度的比较第39-40页
   ·本章小结第40-41页
第4章 反射式体全息存储材料性能的研究第41-55页
   ·光折变晶体与光致聚合物的比较第41-42页
   ·LiNbO_3 晶体原料掺杂量对其光折变性能的影响第42-43页
     ·晶体原料掺杂最佳配比第42-43页
     ·晶体生长工艺的选择第43页
   ·晶体的极化处理第43-45页
   ·极化设备的研制第45-49页
     ·Windows 平台高精度波形发生器的研究第45-48页
     ·0-10KV 高精度遥控稳压电源的研究第48-49页
   ·化学计量比LiNbO_3 全息存储性能测试及分析第49-54页
   ·本章小结第54-55页
第5章 全息三维显示系统的研究第55-69页
   ·光学全息显示的方法与分析第55-56页
   ·计算全息显示的方法与分析第56-62页
     ·传统的计算全息显示方法第57-58页
     ·基于衍射的计算全息显示方法第58-61页
     ·迂回相位编码傅立叶变换计算全息图的制作第61-62页
   ·计算三维全息的制作第62-65页
     ·菲涅尔波带第63-64页
     ·三维全息的制作第64-65页
   ·体全息三维显示系统初步方案的提出第65-68页
     ·空间光调制器的分辨率问题第65-66页
     ·体全息三维显示系统初步方案的构建第66-68页
   ·本章小结第68-69页
结论第69-71页
参考文献第71-75页
攻读学位期间发表的学术论文第75-77页
致谢第77页

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