高可靠静态存储器研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-13页 |
| ·课题背景 | 第8页 |
| ·存储器和高可靠集成电路的简介 | 第8-10页 |
| ·存储器的介绍 | 第8-9页 |
| ·高可靠集成电路的研究与应用 | 第9-10页 |
| ·国内外的发展状况 | 第10-12页 |
| ·存储器的发展 | 第10-11页 |
| ·高可靠微电子器件的发展 | 第11-12页 |
| ·课题的来源和主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第2章 静态随机存储器 | 第13-30页 |
| ·静态存储器的结构 | 第13-14页 |
| ·时钟及控制信号的设计 | 第14-15页 |
| ·存储单元阵列的设计 | 第15-21页 |
| ·通用型存储单元的设计 | 第16-21页 |
| ·存储阵列的形成 | 第21页 |
| ·地址译码阵列 | 第21-22页 |
| ·预充和读写电路的设计 | 第22-23页 |
| ·敏感放大器的设计 | 第23-29页 |
| ·常用的差分结构的放大器 | 第25-27页 |
| ·锁存器型灵敏放大器的操作原理 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 高可靠电路设计 | 第30-52页 |
| ·辐射原理及抗辐射设计 | 第30-33页 |
| ·辐射原理 | 第30-31页 |
| ·辐射对微电子器件的影响 | 第31-32页 |
| ·粒子辐射对存储器的影响 | 第32-33页 |
| ·常见SEU容错方法分析 | 第33-36页 |
| ·单粒子辐射模型的建立 | 第36-40页 |
| ·电荷收集错误模型 | 第36-39页 |
| ·寄生双极型晶体管错误模型 | 第39-40页 |
| ·脉冲电流模型的建立 | 第40-41页 |
| ·VerilogA语言的介绍 | 第40-41页 |
| ·脉冲电流模型 | 第41页 |
| ·高可靠的存储单元设计 | 第41-51页 |
| ·增加节点电容的高可靠电路设计 | 第42-43页 |
| ·冗余结构的高可靠电路设计 | 第43-50页 |
| ·高可靠的存储单元确定 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第4章 整体仿真结果与分析 | 第52-57页 |
| ·通用型的存储器的仿真结果 | 第52-53页 |
| ·高可靠的存储器的仿真结果 | 第53-55页 |
| ·高可靠存储器的读、写仿真 | 第53-54页 |
| ·高可靠的存储器的单粒子翻转仿真 | 第54-55页 |
| ·仿真结果分析 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 附录1 | 第63-64页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
