| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-12页 |
| 第2章 实验装置与方法 | 第12-20页 |
| ·实验装置与原理 | 第12-16页 |
| ·光学诊断简介 | 第16-20页 |
| ·光路调节 | 第16-17页 |
| ·光谱的定标 | 第17-20页 |
| 第3章 磁控放电等离子体的双探针诊断 | 第20-27页 |
| ·实验原理 | 第20-24页 |
| ·实验结果及分析 | 第24-27页 |
| ·电子温度随条件的变化 | 第24页 |
| ·电子密度随条件的变化 | 第24-25页 |
| ·薄膜形貌与结构状态 | 第25-27页 |
| 第4章 单质铜薄膜生长过程中的光学诊断 | 第27-39页 |
| ·电子激发温度的诊断 | 第27-29页 |
| ·实验结果与讨论 | 第29-39页 |
| ·气压对谱线强度的影响 | 第30-31页 |
| ·功率对谱线强度的影响 | 第31-32页 |
| ·Cu 空间分辨光谱 | 第32-37页 |
| ·电子激发温度的计算 | 第37-39页 |
| 第5章 Ti-Al 和LaNiO_3薄膜生长过程中的光谱诊断 | 第39-51页 |
| ·铁电薄膜电极 | 第39-40页 |
| ·实验结果与讨论 | 第40-51页 |
| ·Ti-Al 薄膜 | 第40-43页 |
| ·LaNiO_3 薄膜（射频） | 第43-49页 |
| ·LaNiO_3 薄膜（直流） | 第49-51页 |
| 第6章 结束语 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |