摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-9页 |
1 绪论 | 第9-18页 |
·基于场发射显示器的真空微电子器件的应用与发展 | 第9-12页 |
·碳纳米管薄膜场发射性能的研究 | 第12-15页 |
·有利于场发射的碳纳米管薄膜制备研究 | 第12-13页 |
·有利于场发射的碳纳米管薄膜优化处理 | 第13-15页 |
·目前存在的问题和本课题研究意义 | 第15-17页 |
·碳纳米管作为场发射薄膜存在的问题 | 第15-16页 |
·课题学术、实用意义 | 第16-17页 |
·本文的研究内容和创新点 | 第17页 |
·小结 | 第17-18页 |
2 理论基础 | 第18-31页 |
·场发射理论基础 | 第18-23页 |
·引言 | 第18-19页 |
·金属微尖场发射 | 第19-22页 |
·Fowler-Nordheim 公式在碳纳米管场发射性能分析中的应用 | 第22-23页 |
·碳纳米管场发射机理 | 第23-30页 |
·局域电场增强机制 | 第23-26页 |
·缺陷发射机理 | 第26-30页 |
·本章小结 | 第30-31页 |
3 碳纳米管中的载流子 | 第31-44页 |
·引言 | 第31-32页 |
·碳纳米管能带模型 | 第32-40页 |
·碳纳米管导电性分析 | 第37-39页 |
·碳纳米管的相变 | 第39-40页 |
·电场下碳纳米管载流子的输运 | 第40-43页 |
·孤子是碳纳米管中的载流子 | 第40-41页 |
·外加电场作用下碳纳米管的双向导电机理 | 第41-43页 |
·本章小结 | 第43-44页 |
4 碳纳米管薄膜场发射电流特征曲线偏折分析 | 第44-55页 |
·碳纳米管场发射的两个过程-----双势垒模型 | 第44-45页 |
·衬底—碳纳米管接触影响电子场发射 | 第45-47页 |
·碳纳米管场发射电流特征曲线偏离的分析 | 第47-54页 |
·双势垒过程对碳纳米管发射的影响 | 第47-49页 |
·强电场和电流热效应影响场发射 | 第49-54页 |
·本章小结 | 第54-55页 |
5 结论与展望 | 第55-57页 |
·总结 | 第55页 |
·后续工作及展望 | 第55-57页 |
致谢 | 第57-58页 |
参考文献 | 第58-64页 |
附录 | 第64-66页 |