| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-14页 |
| ·研究方法 | 第10-11页 |
| ·研究现状 | 第11-12页 |
| ·本文工作 | 第12-14页 |
| 第二章 第一性原理 | 第14-23页 |
| ·薛定谔方程 | 第14-16页 |
| ·密度泛函理论 | 第16-18页 |
| ·分子轨道展开 | 第18-19页 |
| ·赝势理论 | 第19-21页 |
| ·分子轨道的自洽求解 | 第21-22页 |
| ·CASTEP | 第22-23页 |
| 第三章 铁电材料和半导体材料体结构 | 第23-39页 |
| ·铁电材料 | 第23-31页 |
| ·钙钛矿结构材料基本性质 | 第23-24页 |
| ·钛酸锶体结构和电子特性 | 第24-31页 |
| ·钛酸锶材料基本特性和应用 | 第24-25页 |
| ·钛酸锶体结构 | 第25-27页 |
| ·钛酸锶的电子特性 | 第27-31页 |
| ·半导体材料 | 第31-33页 |
| ·砷化镓(GaAs)半导体材料 | 第32页 |
| ·磷化镓(GaP)材料 | 第32-33页 |
| ·GaAs的结构和电子特性 | 第33-36页 |
| ·GaAs的结构 | 第33页 |
| ·电子特性 | 第33-36页 |
| ·GaP的结构和电子特性 | 第36-39页 |
| ·GaP的结构 | 第36页 |
| ·电子特性 | 第36-39页 |
| 第四章 SrTiO_3、GaAs和GaP的表面结构 | 第39-55页 |
| ·不同表面结构 | 第39-40页 |
| ·SrTiO_3(001)表面 | 第40-44页 |
| ·表面弛豫 | 第41-42页 |
| ·表面能量 | 第42-43页 |
| ·表面电子能带结构 | 第43-44页 |
| ·GaAs(001)表面 | 第44-50页 |
| ·无氢键饱和端面 | 第45-49页 |
| ·砷端面 | 第46-48页 |
| ·镓端面 | 第48-49页 |
| ·氢键饱和端面 | 第49-50页 |
| ·GaP(001)表面 | 第50-55页 |
| ·Ga端面 | 第50-53页 |
| ·P端面 | 第53-55页 |
| 第五章 SrTiO_3-GaAs异质结模型 | 第55-66页 |
| ·不同表面构成的异质结 | 第55-56页 |
| ·SrO-Ga的界面异质结 | 第56-61页 |
| ·SrO-As的界面异质结 | 第61-64页 |
| ·其它异质结构 | 第64-66页 |
| 第六章 SrTiO_3-GaP异质结模型 | 第66-75页 |
| ·SrO-Ga的界面异质结 | 第66-70页 |
| ·SrO-P的界面异质结 | 第70-75页 |
| 第七章 结论 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第82页 |