基于CMOS兼容工艺的器件模型和参数提取的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·SPIC及几个关键技术 | 第9-11页 |
| ·隔离技术 | 第9-10页 |
| ·高低压兼容工艺 | 第10-11页 |
| ·功率器件 | 第11页 |
| ·器件模型和模型参数 | 第11-12页 |
| ·本课题的主要研究工作 | 第12-14页 |
| 第二章 模型简介 | 第14-20页 |
| ·模型分类 | 第14-16页 |
| ·模型质量评价 | 第16-17页 |
| ·模型参数提取 | 第17-20页 |
| 第三章 MOSFET模型及模型参数提取 | 第20-39页 |
| ·MOSFET的紧凑模型 | 第20-28页 |
| ·伯克利模型介绍 | 第20-25页 |
| ·模型的发展情况 | 第25-28页 |
| ·CMOS兼容工艺 | 第28-31页 |
| ·MOSFET模型参数提取 | 第31-39页 |
| ·数据的获取 | 第31-35页 |
| ·参数提取策略 | 第35-39页 |
| 第四章 BJT器件的模型参数提取 | 第39-49页 |
| ·BJT模型介绍 | 第39-44页 |
| ·Ebers-Moll模型 | 第39-41页 |
| ·Gummel-Poon模型 | 第41-44页 |
| ·器件结构 | 第44-46页 |
| ·参数提取策略 | 第46-49页 |
| 第五章 模型参数测试与结果分析 | 第49-70页 |
| ·普通MOSFET的测试与分析 | 第49-53页 |
| ·BJT的测试与分析 | 第53-54页 |
| ·少子寿命的测试 | 第54-59页 |
| ·测量原理 | 第54-57页 |
| ·测试与分析 | 第57-59页 |
| ·其它测试结构和版图 | 第59-60页 |
| ·参数测试对分析电路失效的作用 | 第60-70页 |
| ·分析BJT管引起的基准源的失效问题 | 第60-67页 |
| ·分析电流源电源调整率偏低的原因 | 第67-70页 |
| 第六章 总结 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第77-78页 |
| 个人简历 | 第78页 |
