| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-24页 |
| ·紫外光电探测器综述 | 第14-16页 |
| ·p-i-n 结构紫外光电二极管的发展现状 | 第16-19页 |
| ·本文工作及组织结构 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-24页 |
| 第二章 4H-SiC 材料性质 | 第24-41页 |
| ·引言 | 第24-25页 |
| ·SiC 材料的基本性质 | 第25-30页 |
| ·4H-SiC 材料电学性质 | 第30-36页 |
| ·载流子浓度 | 第30-32页 |
| ·迁移率及漂移速度 | 第32-35页 |
| ·电阻率 | 第35-36页 |
| ·4H-SiC 材料光学性质 | 第36-38页 |
| 参考文献 | 第38-41页 |
| 第三章 p-i-n 结构紫外光电二极管的基本原理及特性参数 | 第41-58页 |
| ·p-i-n 结构紫外光电二极管介绍 | 第41-45页 |
| ·pn 紫外光电二极管描述 | 第41-42页 |
| ·p-i-n 紫外光电二极管的器件结构与工作原理 | 第42-44页 |
| ·本征I 层特性 | 第44-45页 |
| ·p-i-n 结构紫外光电二极管的性能参数及指标 | 第45-54页 |
| ·p-i-n 结构紫外光电二极管的小信号模型 | 第54-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 第四章 p-i-n 结构4H-SiC 紫外光电二极管理论分析及设计 | 第58-73页 |
| ·4H-SiC 材料结构设计 | 第58-59页 |
| ·p-i-n 结构4H-SiC 紫外光电二极管管芯结构设计 | 第59-69页 |
| ·相关参数分析 | 第60-61页 |
| ·光谱响应的理论计算 | 第61-65页 |
| ·结果与分析 | 第65-69页 |
| ·4H-SiC p-i-n 紫外光电二极管芯片结构的确定 | 第69-72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
| 第五章 4H-SiC p-i-n 紫外光电二极管单管的制备及关键工艺研究 | 第73-96页 |
| ·4H-SiC p-i-n 紫外光电二极管单管的制备 | 第73-83页 |
| ·版图设计与制版 | 第73-74页 |
| ·单管制备工艺流程图 | 第74-75页 |
| ·光刻和剥离 | 第75-76页 |
| ·ICP 刻蚀及器件隔离 | 第76-79页 |
| ·热氧化 | 第79-80页 |
| ·p 型和n 型电极制备 | 第80-81页 |
| ·封装压焊 | 第81-82页 |
| ·石英玻璃窗口透过率测试 | 第82-83页 |
| ·关键工艺研究 | 第83-91页 |
| ·4H-SiC 材料电学参数的测量 | 第83-84页 |
| ·SiO_x钝化层及SiC/SiO_x界面性质的研究 | 第84-91页 |
| ·所制备的探测器单管管芯及封装管实物图 | 第91-93页 |
| 参考文献 | 第93-96页 |
| 第六章 p-i-n 结构4H-SiC 紫外光电二极管单管测试 | 第96-122页 |
| ·测试系统介绍 | 第96-97页 |
| ·紫外光源校准 | 第97-99页 |
| ·电流－电压特性 | 第99-104页 |
| ·暗电流和光电流 | 第99-102页 |
| ·正向电流－电压特性 | 第102-104页 |
| ·电容－电压特性 | 第104-106页 |
| ·光谱响应特性 | 第106-114页 |
| ·响应度及量子效率 | 第107-112页 |
| ·I_光－W 线性关系 | 第112-114页 |
| ·时间响应特性 | 第114-116页 |
| ·噪声等效功率 | 第116-117页 |
| ·探测率D~* | 第117-120页 |
| 参考文献 | 第120-122页 |
| 第七章 p-i-n 结构4H-SiC 紫外光电二极管一维阵列的研制 | 第122-130页 |
| ·紫外光电二极管阵列的发展现状 | 第122-124页 |
| ·版图设计与制版 | 第124页 |
| ·制备工艺流程 | 第124-126页 |
| ·光电测试结果 | 第126-127页 |
| ·结论 | 第127-129页 |
| 参考文献 | 第129-130页 |
| 第八章 工作总结和展望 | 第130-134页 |
| ·工作总结 | 第130-132页 |
| ·今后研究工作计划 | 第132-134页 |
| 附录 博士期间发表论文及申请专利 | 第134-135页 |
| 致谢 | 第135页 |
