垂直双扩散MOSFET栅电阻的测试研究

中文摘要	第1-4页
Abstract	第4-6页
一、引言	第6-8页
·VDMOSFET 的特点与应用	第6-7页
·栅电阻的测试研究背景	第7页
·论文的结构体系	第7-8页
二、VDMOSFET 的结构与工作原理	第8-13页
·功率半导体器件的介绍	第8-9页
·VDMOSFET 的结构和制造工艺	第9-11页
·VMOSFET 的发展	第9-10页
·VDMOSFET 的结构和制造工艺	第10-11页
·VDMOSFET 的工作原理	第11-13页
三、栅电阻的组成与影响	第13-23页
·引言	第13页
·VDMOSFET 的等效电路模型	第13-14页
·栅电阻的组成	第14-16页
·栅电容的组成	第16-18页
·栅电阻对开关性能的影响	第18-20页
·如何降低栅电阻和栅电容	第20-22页
·小结	第22-23页
四、阻抗的测试方法和测试设备	第23-30页
·引言	第23页
·阻抗的测试方法	第23-26页
·阻抗的测试设备	第26-30页
五、栅电阻的测试和结果分析	第30-38页
·引言	第30页
·MIS 结构C-V 曲线	第30-32页
·栅电阻的测试和结果分析	第32-36页
·小结	第36-38页
六、栅电阻测试的应用	第38-40页
七、论文总结	第40-42页
参考文献	第42-44页
攻读硕士学位期间公开发表的论文	第44-45页
致谢	第45-46页
详细摘要	第46-48页