| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-20页 |
| §1.1 GaN异质结构体系材料目前的研究状况和存在问题 | 第11-13页 |
| §1.2 InP基HEMT结构材料目前存在的问题和研究意义 | 第13-16页 |
| §1.3 稀磁半导体材料目前国内外的研究动态和存在问题 | 第16-20页 |
| 第二章 磁输运测试系统和实验技术 | 第20-34页 |
| §2.1 测试系统 | 第20-23页 |
| §2.2 测量方法 | 第23-26页 |
| §2.3 关于测量误差的讨论 | 第26-27页 |
| §2.4 迁移率谱技术和SdH测量分析 | 第27-33页 |
| §2.4.1 迁移率谱技术 | 第27-30页 |
| §2.4.2 Shubnikov-de Hass(SdH)振荡 | 第30-32页 |
| §2.4.3 FFT谱 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 磁性半导体二维电子气的磁阻振荡研究 | 第34-56页 |
| §3.1 稀磁半导体中的sp-d交换相互作用 | 第34-38页 |
| §3.2 样品的结构，制备和实验 | 第38-40页 |
| §3.3 结果和讨论 | 第40-52页 |
| §3.3.1 温度对拍频磁阻的影响 | 第40-47页 |
| §3.3.2 栅压对拍频磁阻的影响 | 第47-49页 |
| §3.3.3 磁场方向对拍频磁阻的影响 | 第49-52页 |
| §3.4 小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 第四章 InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运研究 | 第56-76页 |
| §4.1 研究背景 | 第56-58页 |
| §4.2 多载流子体系的电导张量分析 | 第58-62页 |
| §4.2.1 玻尔兹曼方程的求解 | 第58-59页 |
| §4.2.2 混合电导分析 | 第59-61页 |
| §4.2.3 多载流子拟合过程 | 第61-62页 |
| §4.3 样品结构和实验 | 第62-64页 |
| §4.4 实验结果和讨论 | 第64-74页 |
| §4.5 小结 | 第74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 第五章 AlGaN／GaN二维电子气的磁阻拍频和弱局域特性研究 | 第76-103页 |
| §5.1 引言 | 第76-77页 |
| §5.2 样品结构 | 第77-78页 |
| §5.3 磁致子带间散射 | 第78-89页 |
| §5.4 二维电子气中的相干散射现象 | 第89-99页 |
| §5.4.1 AlGaN／GaN异质结中的弱局域化 | 第89-95页 |
| §5.4.2 AlGaN／GaN量子阱中的反弱局域化 | 第95-99页 |
| §5.5 小结 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-103页 |
| 第六章 结论和展望 | 第103-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 论文发表情况 | 第106-107页 |
